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  • Hochpräzise Maschine zur Rückseitenverdünnung von Wafern
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Hochpräzise Maschine zur Rückseitenverdünnung von Wafern

Dies ist eine hocheffiziente Schleif-/Polier Maschine für Wafer.

Was kann die hochpräzise Maschine zur Rückseitenverdünnung von Wafern tun?

Sie kann Halbleitermaterialien der dritten Generation wie SiC, GaN, GaAs, Si, ZnO schleifen.

Dies ist eine in China selbstgebaute Schleifmaschine, deren Leistung Weltstandard erreicht hat.

Aus welchen Teilen besteht sie?

  1. Hydrostatische luftschwimmende Elektrospindel der Serie DL-ES55
    Vorteile: Luftlager verfügt über hohe Steifigkeit, geringe Schwingungen, niedrige thermische Ausdehnung und kleine Geschwindigkeitsänderung.
    Die luftschwimmende Elektrospindel verwendet steifes mikroporöses Material als Luftschwimmblock. Die Spindelgenauigkeit, Lebensdauer, Luftdurchlässigkeit und Stabilität befinden sich an der Spitze der weltweiten Spindelprodukte.
  2. Manipulator
  3. Hydrostatischer luftgelagerter Arbeitsdrehtisch
  4. NCG (Nicht-Kontakt-Messgerät)
    Vorteile:
    • Nicht-kontaktierend, senkt die Bruchrate;
    • Genauer, kann die Wafertiefe nach dem Entkleben messen.
      Spezifikation: Genauigkeit ≤ 1 μm; Wiederholgenauigkeit 0.1 μm.
      Bedienungskomfort: Ausgestattet mit einem berührungsempfindlichen LCD-Display und GUI (Grafische Benutzeroberfläche), um die Bedienungskomfort zu verbessern. Der Kontrollbildschirm kann den Verarbeitungsstatus und den Gerätestatus gleichzeitig anzeigen.

Wie funktioniert sie?

  1. Setzen Sie die Waferkassette auf den Materialtisch, der die Waferkassette automatisch kalibriert.
  2. Der Manipulator greift den Wafer aus der Waferkassette und überträgt ihn auf die Wafer-Führungsstation; die Führungsstation positioniert und führt den Wafer.
  3. Der Hauptdrehtisch dreht sich zur Station A zur Schleifung; das NCG misst die Wafertiefe und kompensiert die Vorschubmenge automatisch.
  4. Der Hauptdrehtisch dreht sich zur Station B zur Polierung; das NCG misst die Wafertiefe und kompensiert die Vorschubmenge automatisch.
  5. Der Hauptdrehtisch dreht sich zur Station C zur Reinigung und Trocknung.
  6. Der Manipulator gibt den gereinigten Wafer zurück in die Waferkassette.


Produktdetails

Spezifikationen für vollautomatische Wafer-Schleifmaschine

Spezifikation Detaillierte Spezifikation Einheit TY-6/8BGD TY-8/12BGD
Wafer-Durchmesser Wafer-Durchmesser Zoll 4”, 6” 8”, 12”
Schleifverfahren Schleifverfahren - In-feed-Schleifen mit Wafer-Drehung In-feed-Schleifen mit Wafer-Drehung
Schleifscheiben Schleifscheiben mm Diamantscheibe (Schleifachse)
Polierpad
(CMP-Pad)
Diamantscheibe (Schleifachse)
Polierpad
(CMP-Pad)
Schleifachse Nennleistung kW ~4 5.5
Nenndrehzahl U/min 1000~6000 1000~4000
Präzision Ebenheit μm ≤2 < 3
Rauheit μm Ry 0.13 (mit #2000-Finish)
Ry 0.15 (mit #1400-Finish)
Ry 0.13 (mit #2000-Finish)
Ry 0.15 (mit #1400-Finish)
Maschinendimensionen (B×T×H) Maschinendimensionen (B×T×H) mm 2500×4500×1800 2500×4500×1800
Gewicht Gewicht kg Ca. 4000 kg Ca. 5000 kg
Untersuchung
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Ansprechpartner: Grace
Telefon: 86 13622378685
Email: Grace@lapping-machine.com
Adresse:Gebäude 34, Zone B, Yuanshan Industriezone, Xiangcheng Straße, Guangming Bezirk, Shenzhen, China

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Shenzhen Tengyu Grinding Technology Co., Ltd.