Problemas y soluciones en el pulido de láminas de germanio-Molinillo de obleas, máquina de pulido CMP, máquina de lapeo, rectificado de bordes-Molienda Tengyu

Problemas y soluciones en el pulido de wafers de Ge

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Durante el proceso de pulido de wafers de Ge, debido a las propiedades fisicoquímicas del material mismo (como baja dureza, alta fragilidad, facilidad de oxidación, sensibilidad a la temperatura, etc.), es común que surjan problemas como daños en la superficie, desviaciones en la precisión dimensional y contaminación al pulir en una máquina de lapping para wafers de Ge.

Rayas en la superficie (rayas gruesas, rayas finas)Causas:

Presencia de partículas abrasivas grandes o impurezas en el fluido de pulido (como aglomeración de abrasivos, entrada de polvo externo).
Desajuste en la dureza del abrasivo (una dureza excesiva causa rayas fácilmente, mientras que una dureza insuficiente reduce la eficiencia).

Soluciones:

Seleccionar abrasivos de alta pureza y buena dispersión (como micropolvo de diamante, abrasive de SiC). Tratar el fluido de pulido con dispersión ultrasónica antes de usar para evitar la aglomeración de abrasivos.
Filtrar regularmente el fluido de pulido para eliminar impurezas y partículas grandes; reemplazarlo por nuevo si es necesario.
Afinar regularmente la placa de pulido de la máquina de lapping para wafers de Ge (como alisar con un afinador de diamante) y limpiar las partículas incrustadas en la superficie de la placa para garantizar su planaridad.
Elegir abrasivos con dureza adecuada según la dureza del wafer de Ge. Usar abrasivos de grano grueso en la etapa inicial del pulido para mejorar la eficiencia, y luego cambiar a abrasivos de grano fino para reducir las rayas.

Rebaba y muesca en la superficieCausas:

Alta fragilidad del wafer de Ge, presión de pulido excesiva o distribución desigual de la presión.
Velocidad de rotación excesiva de la placa de pulido, lo que causa fricción excesiva entre el wafer de Ge y la placa.
Falta de pretratamiento en el borde del wafer de Ge (como microfisuras en el borde después del corte).

Soluciones:

Aplicar control de presión segmentado: usar presión baja para el ajuste inicial, y luego ajustar gradualmente la presión para garantizar su uniformidad.
Reducir la velocidad de rotación de la placa de pulido y ajustar los parámetros según el tamaño de grano del abrasivo (velocidad ligeramente más alta para pulido grueso, velocidad más baja para pulido fino).
Realizar el chanfro del borde del wafer de Ge después del corte para eliminar microfisuras y evitar rebabas causadas por la concentración de tensiones durante el pulido.

Grosor desigual y desviación de planaridadCausas:

Desviación de la planaridad de la placa de pulido fuera de los límites permitidos, lo que provoca una cantidad de pulido desigual en diferentes áreas del wafer de Ge.
Método inadecuado de sujeción del wafer de Ge (como presión de un solo punto, sujeción floja).
Distribución desigual del fluido de pulido, lo que causa insuficiencia de abrasive o mala disipación de calor en áreas locales.

Soluciones:

Inspeccionar regularmente la planaridad de la placa de pulido. Usar un afinador de diamante o un bloque de pulido de hierro fundido para alisarla, garantizando que el error de planaridad esté dentro del rango permitido.
Adoptar sujeción de múltiples puntos, adsorción de vacío o sujeción con abrazadera para garantizar un contacto completo entre el wafer de Ge y la placa de pulido, una distribución uniforme de la fuerza y evitar sujeción floja.
Optimizar el sistema de rociado del fluido de pulido para garantizar un rociado uniforme; agregar un dispositivo de agitación si es necesario para evitar la sedimentación del abrasive.

Baja eficiencia de pulidoCausas:

Tamaño de grano del abrasive excesivamente fino o concentración insuficiente.
Presión de pulido demasiado baja y velocidad de rotación insuficiente.
Material inadecuado de la placa de pulido (como una superficie demasiado blanda que hace que el abrasive se incruste en lugar de cortar).

Soluciones:

Seleccionar razonablemente el tamaño de grano del abrasive: usar granos gruesos (como 10-20μm) en la etapa inicial para eliminar rápidamente el exceso, y luego cambiar gradualmente a granos finos.
Aumentar adecuadamente la presión de pulido y la velocidad de rotación sin causar daños, garantizando al mismo tiempo la disipación de calor.
Seleccionar una placa de pulido con dureza moderada (como placa de hierro fundido, placa de pulido de diamante con aglutinante de resina) y combinarla con el tipo de abrasive para mejorar la eficiencia de corte.

El pulido de wafers de Ge requiere resolver problemas como daños en la superficie, desviaciones dimensionales y baja eficiencia mediante la optimización de la selección y tratamiento del abrasive, el control de la presión de pulido y la velocidad de rotación, y la garantía de la precisión de la placa de pulido y la racionalidad de la sujeción, teniendo en cuenta las características del material como baja dureza y alta fragilidad.

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