표면 스크래치 (거친 스크래치, 가는 스크래치)

• 연마액 내에 큰 입자 연마제 또는 불순물이 존재 (예: 연마제 응집, 외부 먼지 혼입).
• 연마제 경도 불일치 (과도하게 높으면 스크래치 발생 용이, 너무 낮으면 효율 저하).

• 고순도 및 분산성이 우수한 연마제 (예: 다이아몬드 미분말, SiC 연마제) 선택, 사용 전 초음파 분산으로 연마액 처리하여 연마제 응집 방지.
• 정기적으로 연마액 필터링하여 불순물 및 큰 입자 제거, 필요 시 신규 연마액으로 교체.
• Ge 웨이퍼 랩핑 머신의 연마판 정기 드레싱 (예: 다이아몬드 드레서로 평탄화) 및 판 표면에 박힌 입자 청소를 통해 판면 평탄성 확보.
• Ge 웨이퍼 경도에 맞는 적정 경도의 연마제 선택. 연마 초기에는 굵은 입자 연마제로 효율 향상, 이후 미세 입자 연마제로 교체하여 스크래치 감소.

표면 가장자리 깨짐, 노치

• Ge 웨이퍼 취성이 크고, 연마 압력 과다 또는 압력 분포 불균일.
• 연마판 회전 속도 과속으로 Ge 웨이퍼와 판면 간 마찰력 과다.
• Ge 웨이퍼 가장자리 전처리 미실시 (예: 슬라이싱 후 가장자리에 미세 균열 존재).

• 단위별 압력 제어 적용, 초기 저압으로 시운전 후 단계적 압력 조절을 통한 압력 균일성 확보.
• 연마판 회전 속도 저감 및 연마제 입자 크기에 따른 매개변수 조절 (거친 연마 시 속도 약간 상승, 미세 연마 시 속도 저감).
• 슬라이싱 후 Ge 웨이퍼 가장자리 모따기 처리로 가장자리 미세 균열 제거, 연마 시 응력 집중으로 인한 가장자리 깨짐 방지.

두께 불균일, 평탄도 편차

• 연마판 평탄도 허용 오차 초과로 Ge 웨이퍼 각 영역 연마량 불균일.
• Ge 웨이퍼 장착 방식 부적절 (예: 단일 점 압력, 장착 느슨함).
• 연마액 분포 불균일로 국부 영역 연마제 부족 또는 방열 불량.

• 연마판 평탄도 정기 검사, 다이아몬드 드레서 또는 주철 연마 블록으로 평탄화하여 평탄도 오차를 허용 범위 내 유지.
• 다점 압력, 진공 흡착 또는 지그 장착 방식 채택으로 Ge 웨이퍼와 연마판의 충분한 밀착 및 힘의 균일 적용, 장착 느슨함 방지.
• 연마액 분사 시스템 최적화로 분사 균일성 확보, 필요 시 교반 장치 추가로 연마제 침전 방지.

연마 효율 저하

• 연마제 입자 크기 과도 미세 또는 농도 부족.
• 연마 압력 과소, 회전 속도 저하.
• 연마판 재질 부적절 (예: 판면 과도 연약으로 연마제 절삭 대신 박힘).

• 연마제 입자 크기 합리 선택, 초기 굵은 입자 (예: 10-20μm)로 잉여량 신속 제거, 이후 단계적 미세 입자 교체.
• 손상 발생하지 않는 범위 내에서 연마 압력 및 회전 속도 적정 상승, 동시에 방열 확보.
• 적정 경도의 연마판 (예: 주철판, 레진 결합제 다이아몬드 연마판) 선택, 연마제 종류와 매칭으로 절삭 효율 향상.

이번에는 영어 단어를 제외하고 한국어 "랩핑 머신"을 모두 굵게 표시했습니다. 만약 다른 부분을 수정하거나 추가로 조정할 필요가 있다면, 바로 알려주세요. 필요하다면 이 내용을 Ge 웨이퍼 연마 문제 해결 핸드북으로 정리해 드릴 수도 있습니다.