عملية TSV، المعروفة أيضًا بتقنية Through-Silicon Via (المنقولات العميقة عبر السيليكون)، تتضمن بشكل أساسي تعبئة المنقولات العميقة (بأقطار تتراوح من عدة ميكرو مترات إلى عشرات الميكرو مترات) بالنحاس. تُستخدم محاور التحويل TSV على نطاق واسع في تجميع 3D IC، مما يُعزز قدرة التخزين ومستوى التكامل للشريحة عن طريق تكديس شريحات متعددة في الاتجاه الرأسي.