بسبب مشاكل مثل الهشاشة والتشوه والتدني لشريحات الويفر الفائقة الرقة بعد تخفيف سمكها، يلزم إجراء معالجة التربط (Bonding) لشريحات الويفر قبل تخفيف سمكها.
أطوار التربط الشائعة هي كما يلي:
-
التربط الدائم (Permanent Bonding)
هدفها هو تكوين رابطة هيكلية ميكانيكية لا رجوع فيها. تستخدم أساسًا في تجميع أجهزة مثل التكامل ثلاثي الأبعاد (3D Integration) وميكروأجهزة كهربائية ميكانيكية (MEMS) والمنقولات العميقة عبر السيليكون (TSV).
يُقسم التربط الدائم إلى تربط مباشر بدون طبقة وسيطة وتربط غير مباشر مع طبقة وسيطة:
1.1 التربط المباشر (بدون طبقة وسيطة)
-
التربط بالاندماج (Fusion Bonding) / التربط المباشر أو الجزيئي (Direct or Molecular Bonding)
-
التربط النحاسي-النحاسي (Copper-Copper Bonding) / التربط الهجين للأكسيد (Oxide Hybrid Bonding)
-
التربط العنقودي (Anodic Bonding)
1.2 التربط غير المباشر (مع طبقة وسيطة)
-
الطبقة الوسيطة العازلة (Insulating Intermediate Layer)
-
الطبقة الوسيطة المعدنية (Metal Intermediate Layer)
-
التربط المؤقت/فك التربط (Temporary Bonding/De-Bonding)
هدفها هو توفير دعم مؤقت أثناء معالجة الجهاز ويمكن إزالته في الخطوات اللاحقة. تستخدم غالبًا لمعالجة شريحات الويفر الفائقة الرقة ذات سمك أقل من 60 ميكرو متر.
يستخدم مواد لاصقة مؤقتة أو أغشية رقيقة كطبقات وسيطة لربط شريحات الويفر الرقيقة بشريحة الويفر الداعمة. بعد المعالجة، يُحقق فك التربط من خلال طرق حرارية أو ليزرية أو كيميائية.
هذا هو الطريقة الأكثر استخدامًا والناضجة لشريحات الويفر قبل تخفيف سمكها.
الذاتي أعلاه هي أطوار التربط لشريحات الويفر في الصناعة شبه الموصلية. يتم اختيار طريقة التربط المناسبة بناءً على المواد المختلفة والسناريوهات التطبيقية.
English
русский
한국어
Deutsch
español
italiano
العَرَبِيَّة