고급 패키징 요구사항에 맞춤: 칩 스태킹(3D IC, SiP 패키징 등)에서 박막화된 웨이퍼(두께 50-100μm)는 스태킹 높이를 크게 줄여 디바이스 소형화(스마트폰 SoC 칩, 웨어러블 디바이스 칩 등)를 실현할 수 있습니다. 동시에 얇은 웨이퍼는 실리콘 관통 비아(TSV) 공정을 쉽게 구현하여 칩 간 신호 전송 속도를 향상시킵니다.

방열 효율 향상: 칩이 작동할 때 발생하는 열은 웨이퍼를 통해 방열 구조로 전달되어야 합니다. 두꺼운 웨이퍼(예: ＞300μm)는 '열저항 장벽'을 형성하지만, 박막화 후(예: ＜100μm) 열저항을 40%-60% 낮출 수 있어 과열로 인한 칩 성능 저하나 수명 단축을 방지합니다(대표적 적용: 파워 반도체 칩, 자동차 전자 칩).

특수 디바이스 성능 요구사항 충족: MEMS (마이크로전기기계시스템) 디바이스(가속도 센서, 자이로스코프 등)는 웨이퍼 박막화 장비를 통해 웨이퍼 두께를 20-50μm로 줄임으로써 '기계적 감도'를 구현해야 합니다. 얇은 웨이퍼는 외력 작용下에서 미세한 변형이 쉽게 발생하여 물리적 신호를 정밀하게 감지할 수 있습니다.
또한 RF (무선 주파수) 칩 박막화는 전자기 간섭을 줄여 신호 안정성을 향상시킵니다.