1. Principi tecnici fondamentali

1. Adotta un design di rotazione sincrona inversa dell’albero principale (ruota di polizia) e dell’albero del pezzo lavorato (pinza del wafer). La velocità dell’albero principale può essere regolata con precisione (100-3000 rpm), e l’albero del pezzo lavorato realizza il controllo della velocità a livello di 0.1 rpm tramite un motore servo. Combinato con un meccanismo di avanzamento azionato da guide lineari, garantisce l’uniformità della traiettoria di polizia e evita la polizia eccessiva locale.
2. Sistema di controllo della pressione in ciclo chiuso: il range di regolazione della pressione è 0.5-50N. Un sensore piezoelettrico monitora la pressione di polizia in tempo reale, e un algoritmo PID compensa dinamicamente le fluttuazioni di pressione (precisione ±0.1N). È necessario impostare una curva di pressione graduale secondo il materiale del wafer (es: silicio, carburo di silicio), la deviazione di spessore iniziale e la quantità di adelgazamento obiettivo, per prevenire la rottura del wafer.
3. Adattamento preciso del mezzo di polizia: come ruote di polizia, vengono utilizzate prevalentemente ruote di polizia di diamante (dimensione delle particelle 5-50μm, selezionata secondo i requisiti di profondità della strato danneggiato e rugosità).

2. Casi tipici di applicazione per diversi materiali

1. Processamento di wafer a base di silicio: Adatto all’adelgazamento del lato posteriore di wafer di silicio da 8-12 pollici nella fabbricazione di IC. Viene utilizzata una ruota di polizia di diamante 2000# (velocità 2000-4000 rpm), e la pressione di polizia viene impostata a 5-15N (15N per adelgazamento rapido nella fase iniziale, 5N per finitura nella fase finale). Infine, lo spessore del wafer viene ridotto da 775μm a 50-100μm, con una profondità di strato danneggiato sulla superficie ≤5μm.
2. Processamento di semiconduttori composti: Per wafer duri e fragili come il carburo di silicio e il nitruro di gallio, viene selezionata una ruota di polizia di diamante 2000# (velocità 2500 rpm), e la pressione di polizia viene controllata a 20-30N (usando alta pressione per rompere la rete cristallina di materiali duri e fragili). Questo permette di controllare la rugosità della superficie di wafer di carburo di silicio fino a Ra≤0.03μm, riducendo contemporaneamente la probabilità di formazione di crepe.

In sintesi, grazie alla rotazione precisa e sincrona inversa dell’albero principale e dell’albero del pezzo lavorato, al controllo dinamico e preciso della pressione in ciclo chiuso e alle ruote di polizia di diamante adattate a diversi materiali, la macchina per la polizia dei wafer non solo realizza in modo efficiente l’adelgazamento ultrafino e l’appiattimento della superficie di wafer a base di silicio e wafer di semiconduttori composti (come il carburo di silicio e il nitruro di gallio), ma controlla anche strettamente la profondità della strato danneggiato e la rugosità della superficie. Riduce efficacemente il rischio di rottura e crepe, fornendo una base solida per il svolgimento fluido dei processi chiave successivi nella fabbricazione di semiconduttori.