Сколько технологий склеивания используется для ультратонких полупроводниковых пластин до их тонкой шлифовки?
Из-за таких проблем, как хрупкость, деформация и искривление ультратонких полупроводниковых пластин (ваферов) после тонкой шлифовки, требуется проведение бондинговой обработки пластин перед тонкой шлифовкой.
Общие методы бондинга следующие:
-
Постоянный бондинг
Его цель — формирование необратимой механической структурной связи. В основном используется при упаковке устройств, таких как 3D-интеграция, MEMS (микроэлектромеханические системы) и TSV (технология черезкремниевых переходов).
Постоянный бондинг разделяется на прямой бондинг без промежуточного слоя и косвенный бондинг с промежуточным слоем:
1.1 Прямой бондинг (без промежуточного слоя)
-
Фюзионный бондинг / Прямой или молекулярный бондинг
-
Медно-медный бондинг / Гибридный бондинг оксида
-
Анодный бондинг
1.2 Косвенный бондинг (с промежуточным слоем)
-
Изолирующий промежуточный слой
-
Металлический промежуточный слой
-
Временный бондинг/дебондинг
Его цель — обеспечение временной поддержки во время обработки устройства, с возможностью удаления на последующих этапах. Часто используется для обработки ультратонких пластин толщиной менее 60 мкм.
В качестве промежуточных слоев используют временные клеи или тонкие пленки, которые соединяют тонкие пластины с опорной пластиной. После обработки дебондинг достигается с помощью термических, лазерных или химических методов.
Это наиболее распространенный и развитый метод для пластин перед тонкой шлифовкой.
Вышеперечисленные — это методы бондинга пластин в полупроводниковой промышленности. Подходящий метод бондинга выбирается в зависимости от различных материалов и сценариев применения.
English
русский
한국어
Deutsch
español
italiano
العَرَبِيَّة