Процесс TSV, также известный как технология черезкремниевых переходов (Through-Silicon Via), главным образом включает наполнение глубоких переходов (с диаметром от нескольких микрометров до десятков микрометров) медью. Интерпозеры TSV широко используются в упаковке 3D IC, что повышает емкость хранения и уровень интеграции чипов за счет вертикального стэкинга нескольких чипов.