El proceso TSV, también conocido como tecnología Through-Silicon Via (vía a través del silicio), consiste principalmente en rellenar vías profundas (con diámetros que oscilan entre varios micrómetros y decenas de micrómetros) con cobre. Los interpositores TSV se usan ampliamente en el empaquetado de 3D IC, lo que mejora la capacidad de almacenamiento y el nivel de integración de los chips al apilar múltiples chips en dirección vertical.