IlTSVIl processo, noto anche come tecnologia Through-Silicon Via, prevede principalmente il riempimento di vias profondi (con diametri che vanno da diversi micrometri a decine di micrometri) con rame. Gli interposer TSV sono ampiamente utilizzati nell'imballaggio di IC 3D, che migliora la capacità di archiviazione e il livello di integrazione dei chip impilando più chip nella direzione verticale.