Il processo TSV, anche noto come tecnologia Through-Silicon Via (via attraverso il silicio), prevede principalmente il riempimento di vies profonde (con diametri compresi tra diversi micrometri e decine di micrometri) con rame. Gli interpositori TSV sono ampiamente usati nel packaging 3D IC, che migliora la capacità di archiviazione e il livello di integrazione dei chip mediante lo stacking verticale di più chip.