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Wie wird die nanometergenaue Rauheit von 12-Zoll-Siliziumwafern auf der Spiegelpoliermaschine erzielt?
2026-05-07807

12-Zoll-Siliziumwafer sind zentrale standardisierte Substratmaterialien für die Herstellung fortschrittlicher Logikchips, Speicherchips und hochwertiger integrierter Schaltkreise. Die Spiegelpolierung von Waferoberflächen ist ein unverzichtbarer hochpräziser Schlüsselprozess im vorderen Halbleiterprozess und bei fortschrittlichen Verpackungsverfahren.
Nach Schneiden, Dünnen und Schleifen weist die ursprüngliche Waferoberfläche noch Bearbeitungsspuren, Mikrorisse und mechanische Beschädigungsschichten auf, die den strengen Anforderungen an die Nanolithografie, Dünnschichtabscheidung und Mikroleitungsherstellung nicht genügen. Eine Spiegelpolierung ist erforderlich, um eine flächendeckende atomare Planarisierung zu erreichen und die Grundlage für nachfolgende Chipprozesse zu schaffen.
Abgestimmt auf die Eigenschaften großer 12-Zoll-Siliziumwafer nutzt die Spiegelpoliermaschine das Prinzip der kombinierten chemisch-mechanischen Polierung und vermeidet die Nachteile herkömmlicher rein mechanischer Schleifverfahren. Auf Basis einer präzisen, laufruhigen Konstruktion in Kombination mit nanoskaligen Polierverbrauchsmaterialien werden unter exakt geregeltem Druck, Drehzahl und Polierschleifmittelzufuhr oberflächennahe Mikrostrukturen chemisch aufgeweicht. Anschließend werden Oberflächenunebenheiten und feine Beschädigungen durch minimalen mechanischen Abtrag gleichmäßig entfernt.
Während des gesamten Prozesses werden mechanische Spannungen und Plattenschwingungen streng begrenzt, um Verzug, Oberflächenkratzer und Randdefekte der Wafer auszuschließen sowie mikroskopische Restfehler vorheriger Prozessschritte sukzessive zu beseitigen.
Nach der Spiegelpolierung erreichen 12-Zoll-Siliziumwafer einen spiegelglatten Oberflächenzustand. Oberflächenrauheit und Gesamtdickentoleranz liegen innerhalb der Industriestandards für die Halbleiter-Serienproduktion. Die Oberfläche ist frei von mechanischen Beschädigungen und Gitterverzerrungen und überzeugt durch hervorragende Oberflächenhomogenität und Ebenheitsgenauigkeit.
Dieses Polierverfahren erfüllt die Anforderungen der Serienproduktion modernster Chiptechnologien, gewährleistet die Ausrichtgenauigkeit nachfolgender Lithographieschritte und die Gleichmäßigkeit des Dünnschichtwachstums und verbessert deutlich die Chipausbeute sowie langfristige Betriebszuverlässigkeit. Gegenwärtig ist die Spiegelpolierung von 12-Zoll-Siliziumwafern ein zentraler hochpräziser Prozess für die heimische Ersatzversorgung im hochwertigen Halbleiterbau sowie eine Schlüsseltechnologie für die Qualitätssteigerung von Wafern und die Weiterentwicklung der Prozessverfahren.
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