Das chemisch-mechanische Polieren (CMP) wird in der Halbleiterherstellung am weitesten verbreitet angewendet, hauptsächlich zur Planarisierung der Waferoberfläche.

In der Halbleiterherstellung kann die CMP-Technik zur Entfernung von Verunreinigungen wie Oxidschichten, Siliziden und Metallrückständen auf der Waferoberfläche verwendet werden, um die Leistung und Stabilität von Bauteilen wie Kristallen zu gewährleisten. Die CMP-Technik ist eine sehr wichtige Technik in der modernen Halbleiterherstellung.

Während des CMP-Prozesses ist die Verwendung eines speziellen flüssigen Schleifmittels, nämlich der CMP-Politurflüssigkeit, erforderlich.

Übliche Arten von CMP-Politurflüssigkeiten umfassen Wolfram-CMP-Politurflüssigkeit, Dielektrikum-CMP-Politurflüssigkeit, Kupfer-CMP-Politurflüssigkeit, Aluminium-CMP-Politurflüssigkeit, Siliziumwafer-CMP-Politurflüssigkeit, Siliziumcarbid-Wafer-CMP-Politurflüssigkeit und Festplattenkopf-CMP-Politurflüssigkeit.

Die CMP-Politurflüssigkeit ist eine Mischung verschiedener chemischer Stoffe, die hauptsächlich Schleifmittel, Pufferlösungen, Poliermittel und Zusatzstoffe enthält.

Dabei dienen Schleifmittel hauptsächlich dazu, Oxide und Metallrückstände von der Oberfläche des Siliziumwafers zu entfernen; Pufferlösungen regulieren hauptsächlich den pH-Wert und gewährleisten die Stabilität der Flüssigkeit; Poliermittel sorgen hauptsächlich für Schmierung und reduzieren die Oberflächenreibung; Zusatzstoffe verbessern hauptsächlich die Dispergierfähigkeit und die chemischen Reaktionseigenschaften der CMP-Politurflüssigkeit.