Chemisch-mechanisches Polieren (CMP), mit dem vollen Namen Chemical Mechanical Polishing oder Chemical Mechanical Planarization, ist ein globales Planarisierungsverfahren. Im Gegensatz zur einfachen physikalischen Schleifung kombiniert CMP chemisches Ätzen und mechanisches Polieren, um unebene Oberflächenmaterialien zu entfernen und eine Ebenheit auf Atom Ebene zu erreichen.

Beim Polieren von Produkten auf einem CMP-Poliergerät treten zunächst die chemischen Komponenten in der Polierslurry in eine milde chemische Reaktion mit den Materialien auf der Wafer-Oberfläche ein, um sie zu weichmachen. Anschließend übt der Polierkopf des CMP-Poliergeräts Druck auf den Wafer aus, und die Relativbewegung zwischen Wafer und Polierpad erzeugt Reibung, die die Dicke der Wafer-Oberfläche effektiv entfernt, um Planarisierung zu erreichen.

Ein vollautomatisches CMP-Poliergerät besteht aus 5 Hauptsystemen:

CMP-Poliergeräte können metallische Materialien (einschließlich Verbindungsschichten wie Al, W, Cu; Barrierschichten wie Ti, TiN, Ta, TaN), Dielektrikschichten (wie SiO₂, PSG, BPSG, SiNₓ, Al₂O₃) und Halbleitermaterialien (wie Si, GaN, SiC, GaAs, InP) polieren.

Daher ist das chemisch-mechanische Polieren (CMP) ein globales Planarisierungsverfahren, das chemisches Ätzen und mechanisches Polieren kombiniert. Es ist ein Schlüsserverfahren in der ULSI (Ultra-Large-Scale Integration)-Produktion, das Gerät enthält 5 Hauptsysteme und kann metallische, dielektrische und halbleitende Materialien polieren.