El carburo de silicio, material de banda ancha fundamental para semiconductores de tercera generación, posee alta dureza, estabilidad química y resistencia a altas temperaturas, constituyendo el sustrato principal para dispositivos de nueva energía y componentes de potencia de gama alta. Debido a su naturaleza dura y frágil, su mecanizado presenta grandes dificultades. Los equipos de pulido tradicionales no logran eliminar eficazmente microarañazos superficiales, capas de tensión y errores de planitud. La
Máquina de Pulido de Carburo de Silicio (SiC) es el equipo especializado fundamental para el acabado preciso de obleas de SiC y un dispositivo clave para la planarización en la fase inicial de fabricación de chips semiconductores.
Este equipo adopta el principio compuesto de pulido químico-mecánico (CMP), distinto del modelo de molienda puramente mecánica. Durante el funcionamiento, el líquido de pulido especializado produce primero una reacción de oxidación suave sobre la superficie de la oblea de SiC, formando una capa modificada oxidada de textura blanda. Posteriormente, la fricción mecánica uniforme generada por discos de pulido de alta precisión y nanoabrasivos elimina microscópicamente la capa superficial modificada, logrando un equilibrio dinámico entre corrosión química y eliminación mecánica. Esto evita radicalmente defectos de mecanizado como roturas de borde, arañazos y tensión residual en materiales duros y frágiles.
Para adaptarse a los estrictos estándares de mecanizado de obleas de SiC, el equipo integra sistemas de regulación de presión de bucle cerrado, transmisión de velocidad constante y control de temperatura en tiempo real. El cuerpo rígido de la máquina recibe tratamiento de envejecimiento para evitar deformaciones de mecanizado y oscilaciones del disco. Gracias a la tecnología de compensación de presión por zonas, equilibra uniformemente la tasa de eliminación de material entre el centro y el borde de la oblea y corrige eficazmente el alabeo de las piezas. Asimismo, el módulo de control térmico en tiempo real estabiliza el entorno de trabajo del líquido de pulido y evita desviaciones de precisión causadas por fluctuaciones de temperatura.
Mediante un sistema de control de procesos preciso, el equipo mantiene la rugosidad superficial de las obleas de SiC por debajo de 0,5 nm y controla los errores de planitud a nivel micrónico, cumpliendo plenamente los requisitos de producción de alta gama de los procesos de crecimiento epitaxial y fotolitografía. Gracias a sus ventajas de alta precisión, bajo daño y alta consistencia, la Máquina de Pulido de Carburo de Silicio (SiC) se ha convertido en el equipo central para el mecanizado en masa de obleas de SiC en semiconductores de grado automotriz, aeroespacio y dispositivos electrónicos de alta gama.
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