Merkmale, Vorteile und industrielle Anwendungen der hochpräzisen Wafer-Kantenfräsmaschine
In Bereichen wie Halbleitern und Optik, die eine extrem hohe Bearbeitungsgenauigkeit erfordern, ist der Fasenprozess von hartspröden Materialien ein entscheidender Faktor für die Produktleistung. Nach der präzisen Fasen können verschiedene Wafer eine verbesserte Festigkeit und Steifigkeit aufweisen, wodurch das Auftreten von Kantenbrüchen und Eckenabbrüchen bei der nachfolgenden Bearbeitung verhindert wird.
Die Anlage ist mit einem hochpräzisen Schleifmodul ausgestattet, kombiniert mit einem hochgeschwindigkeits synchronen Transportmechanismus und einem CCD-Visuellen Positionierungs- und Messsystem, das Positionsabweichungen von Wafern in Echtzeit erfassen und dynamisch korrigieren kann. Die bereichsbezogene Positioniereinheit des Schleifmechanismus kann eine mikrometergenaue Positionierungskalibrierung von Kantenwafern durchführen, um Genauigkeitsverluste durch Positionsabweichungen bereits bei der Bearbeitung zu verhindern.
- Präzises Parameter-Eingabemechanismus: Unterstützt die digitale Eingabe von Schlüsselfaktoren wie Waferdurchmesser (Φ4-8 Zoll), Positionierkantenlänge und Flächenbreite mit einer Parametersetzgenauigkeit von bis zu 0.001 mm. Das System kann automatisch den entsprechenden Bearbeitungsalgorithmus abgleichen, Fehler durch manuelle Parameteranpassung vermeiden und gewährleisten, dass die Verfahrensparameter den Bearbeitungsanforderungen weitgehend entsprechen.
- Bewegungs- und Messgenauigkeit: Die minimale Bewegungsauflösung des Schleifrades beträgt nur 0.5 μm, wodurch eine nanoskalige Vorschubsteuerung ermöglicht wird;
- Positionierungs- und Plattformgenauigkeit: 3 Sätze von CCD-Visuellen Positionierungssystemen arbeiten zusammen, mit einer Positionierungspixelgenauigkeit von 3 μm und einer Wiederholpositionierungsgenauigkeit jeder Achse von 5 μm, um sicherzustellen, dass die Positionsabweichung bei jeder Wafermontage unter dem Verfahrensschwellenwert liegt; die Schleifplattform verwendet eine Marmorbasis, wobei der Stirnflächenlauf innerhalb von 5 μm kontrolliert wird und die Konzentrizität zwischen Produkt und Schleiftisch ±5 μm beträgt, um den Einfluss von Plattformschwingungen auf die Bearbeitungsgenauigkeit zu beseitigen;
- Fasen- und Formgenauigkeit: Bei einem Schleifradwinkel von 45° wird die Fasengenauigkeit stabil innerhalb von 10 μm kontrolliert; die Wafer-Rundheitskontrollfähigkeit beträgt <10 μm und die Winkelkontrollgenauigkeit ±0.1°, was die strengen Anforderungen an die Kantenformgenauigkeit von Halbleiterchips, optischen Linsen usw. erfüllen kann.
- Halbleiterbereich: Bei der beidseitigen Fasen von Siliziumwafern und Siliziumcarbidwafern kann es Kantenbrüche verhindern, gleichzeitig die Waferflachheit gewährleisten, qualitativ hochwertige Substrate für nachfolgende Lithographie- und Verpackungsprozesse liefern und die Ausschussrate bei der Chipherstellung senken;
- Optikbereich: Für Materialien wie optisches Glas und Saphirkristalle kann es den Fasenwinkel und die Kantenoberflächenqualität präzise kontrollieren, Lichtbrechungverluste reduzieren und die Lichtdurchlässigkeit und Bildqualität von optischen Elementen verbessern.
Aus dem Oberen geht hervor, dass die
Wafer-Kantenfräsmaschine durch hochpräzises Schleifen, visuelles Positionieren und digitales Parametersteuerung eine mikrometergenaue Bearbeitungsgenauigkeit erreicht. Sie kann die Fasenanforderungen an Wafer aus hartspröden Materialien im Halbleiter- und Optikbereich erfüllen, qualitativ hochwertige Substrate für nachfolgende Prozesse liefern und die Ausschussrate senken.
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