Anpassung an Anforderungen fortschrittlicher Verpackungen: Bei Chip-Stacking (z. B. 3D-IC-, SiP-Verpackung) können gedünnte Wafer (mit einer Dicke von 50-100μm) die Stapelhöhe erheblich reduzieren und so die Miniaturisierung von Geräten ermöglichen (z. B. SoC-Chips für Mobiltelefone, Chips für tragbare Geräte). Darüber hinaus erleichtern dünnere Wafer die Implementierung des Through-Silicon-Via-(TSV-)Verfahrens und verbessern die Signalübertragungsgeschwindigkeit zwischen den Chips.

Steigerung der Wärmeabfuhrleistung: Die beim Betrieb eines Chips entstehende Wärme muss über den Wafer an die Wärmeabfuhrstruktur geleitet werden. Dickere Wafer (z. B. >300μm) bilden eine "Wärmewiderstandsbarriere". Nach der Dünnung (z. B. <100μm) kann der Wärmewiderstand um 40-60% reduziert werden, was eine Leistungsverschlechterung oder Verkürzung der Lebensdauer des Chips durch Überhitzung verhindert (typische Anwendungen: Leistungshalbleiterchips, automobile Elektronikchips).

Erfüllung der Leistungsanforderungen besonderer Bauteile: MEMS-(Mikro-Elektro-Mechanische-Systeme-)Bauteile (z. B. Beschleunigungsmesser, Gyroskope) benötigen Wafer-Dünnungsmaschinen, um "mechanische Empfindlichkeit" zu erreichen – die Waferdicke wird auf 20-50μm reduziert. Dünnere Wafer unterliegen leichter geringen Verformungen durch äußere Kräfte, sodass physikalische Signale genau erfasst werden können.
Darüber hinaus kann die Dünnung von Hochfrequenz-(RF-)Chips elektromagnetische Störungen verringern und die Signalstabilität verbessern.