Adattamento alle esigenze di imballaggio avanzato: Nell'accoppiamento di chip (ad esempio, imballaggio 3D IC, SiP), i wafer attenuati (con spessore di 50-100μm) possono ridurre notevolmente l'altezza dell'accoppiamento, consentendo la miniaturizzazione di dispositivi (come i chip SoC dei telefoni cellulari e i chip dei dispositivi indossabili). Inoltre, i wafer più sottili facilitano l'implementazione del processo di vie attraverso il silicio (TSV), migliorando la velocità di trasmissione dei segnali tra i chip.

Miglioramento dell'efficienza di dissipazione del calore: Il calore generato dal chip durante il funzionamento deve essere trasmesso attraverso il wafer alla struttura di dissipazione del calore. I wafer più spessi (ad esempio, >300μm) formano una "barriera di resistenza termica". Dopo l'attenuazione (ad esempio, <100μm), la resistenza termica può essere ridotta del 40%-60%, prevenendo il calo prestazionale o la diminuzione della durata del chip dovuta all'overheating (applicazioni tipiche: chip semiconduttori di potenza, chip elettronici automobilistici).

Soddisfacimento dei requisiti prestazionali di dispositivi speciali: I dispositivi MEMS (Sistemi Microelettromeccanici) (ad esempio, accelerometri, giroscopi) hanno bisogno di macchine per l'attenuazione dei wafer per raggiungere la "sensibilità meccanica" — riducendo lo spessore del wafer a 20-50μm. I wafer più sottili sono più propensi a subire piccole deformazioni sotto l'azione di forze esterne, permettendo di rilevare con precisione i segnali fisici.
Inoltre, l'attenuazione dei chip a radiofrequenza (RF) può ridurre le interferenze elettromagnetiche e migliorare la stabilità del segnale.