Il Polishaggio Chimico-Meccanico (CMP), il cui nome completo è Chemical Mechanical Polishing o Chemical Mechanical Planarization, è un processo di planarizzazione globale. A differenza della semplice levigazione fisica, il CMP combina l'etching chimico e il polishaggio meccanico per rimuovere i materiali superficiali irregolari e raggiungere una planarità di livello atomico.

Quando si pulisce un prodotto su una macchina per polishaggio CMP, i componenti chimici della miscela di polishaggio (slurry) entrano prima in una reazione chimica leggera con i materiali sulla superficie del wafer (lámina di silicio) per ammorbidirli. Successivamente, la testa di polishaggio della macchina CMP esercita pressione sul wafer, e il movimento relativo tra il wafer e il cuscinetto di polishaggio genera attrito, che rimuove efficacemente lo spessore della superficie del wafer per raggiungere la planarizzazione.

Una macchina per polishaggio CMP completamente automatizzata è composta da 5 sistemi principali:

Le macchine per polishaggio CMP possono pulire materiali metallici (inclusi strati di interconnessione come Al, W, Cu; strati di barriera come Ti, TiN, Ta, TaN), strati dielettrici (come SiO₂, PSG, BPSG, SiNₓ, Al₂O₃) e materiali semiconduttori (come Si, GaN, SiC, GaAs, InP).

Pertanto, il Polishaggio Chimico-Meccanico (CMP) è un processo di planarizzazione globale che combina l'etching chimico e il polishaggio meccanico. È un processo chiave nella produzione di ULSI (Integrazione Ultra-Large-Scale), la macchina include 5 sistemi principali e può pulire materiali metallici, dielettrici e semiconduttori.