화학기계적 폴리싱(CMP)은 반도체 제조에서 가장 널리 사용되는 기술로, 주로 웨이퍼 표면을 평탄화하는 데 이용됩니다.

반도체 제조 과정에서 CMP 기술은 웨이퍼 표면의 산화막, 실리사이드, 금속 잔류물 등 불순물을 제거하여 결정체 등 소자의 성능과 안정성을 보장할 수 있습니다. CMP 기술은 현대 반도체 제조에 있어 매우 중요한 기술입니다.

CMP 공정에서는 특수한 액체 연마제인 CMP 폴리싱 슬러리가 필요합니다.

일반적인 폴리싱 슬러리 종류로는 텅스텐 CMP 폴리싱 슬러리, 유전체 CMP 폴리싱 슬러리, 구리 CMP 폴리싱 슬러리, 알루미늄 CMP 폴리싱 슬러리, 실리콘 웨이퍼 폴리싱 슬러리, 탄화규소 웨이퍼 폴리싱 슬러리, 하드디스크 헤드 CMP 폴리싱 슬러리 등이 있습니다.

CMP 폴리싱 슬러리는 다양한 화학 물질의 혼합물로, 주로 연마제, 완충액, 폴리싱제 및 첨가제 등을 포함합니다.

其中，연마제는 주로 실리콘 웨이퍼 표면의 산화물과 금속 잔류물을 제거하는 역할을 하며; 완충액은 주로 pH 값을 조절하고 액체의 안정성을 유지하는 역할을 수행합니다; 폴리싱제는 주로 윤활 작용을 하여 표면 마찰을 줄이는 역할을 하며; 첨가제는 주로 CMP 폴리싱 슬러리의 분산성과 화학 반응 성능을 향상시키는 역할을 합니다.