Wie ermöglicht die Wafer-Beschichtungsmaschine die Präzisionsfertigung von 6-Zoll-Siliziumwafern?
Bei der Massenproduktion von Halbleiterchips mittlerer und niedriger Leistung, Leistungshalbleitern und MEMS-Sensoren sind 6-Zoll-Siliziumwafer eines der am häufigsten eingesetzten Substratmaterialien. Die vakuumbetriebene
Wafer-Beschichtungsmaschine als Kernanlage der Waferverarbeitung verleiht 6-Zoll-Wafern elektrische Eigenschaften, Schutzfunktionen und Bearbeitungsgenauigkeit; ihr abgestimmter Prozess sichert den stabilen Betrieb der Chips.Die
Wafer-Beschichtungsmaschine nutzt hauptsächlich PVD- und CVD-Technologien für die Waferbeschichtung. Der gesamte Prozess läuft unter Hochvakuum ab, wodurch Oxidation und Verunreinigung der Waferoberfläche verhindert und die Reinheit der Dünnschicht gewährleistet wird. Aufgrund der genormten Abmessungen und der Eignung zur Massenproduktion von 6-Zoll-Wafern wandelt die Anlage metallische und dielektrische Werkstoffe mittels Elektronenstrahlverdampfung und Magnetron-Sputtern in atomare Teilchen um, die gleichmäßig abgeschieden werden und nanoskalige Präzisionsdünnschichten bilden.Die Beschichtung ist für die Herstellung von 6-Zoll-Siliziumwafern unverzichtbar. Vor der Beschichtung werden die Wafer präzise geschliffen und poliert, um Oberflächenkratzer und Ebenheitsfehler zu beseitigen. Die
Wafer-Beschichtungsmaschine scheidet metallische Leitfilme, isolierende Passivierungsfilme und abriebfeste Schutzfilme ab. Sie bildet Schaltkreisleitstrukturen aus und schützt Bauteile vor Feuchtigkeit, Staub und statischer Elektrizität.Gegenüber Großwafern verfügen 6-Zoll-Wafer über ausgereifte Prozesse und kostengünstige Produktion. Die
Wafer-Beschichtungsmaschine regelt Schichtdicke, Gleichmäßigkeit und Haftung exakt und eignet sich für die Massenfertigung von Leistungsdioden, Transistoren und Sensoren. Ihre Präzisionsabscheidungstechnologie verwandelt einfache Siliziumwafer in funktionelle Halbleitersubstrate und ist unverzichtbare Kernanlage der 6-Zoll-Halbleiterkette.Zoll-Halbleiterkette.