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Características, ventajas y aplicaciones industriales de la máquina de chanfrado de bordes de wafer de alta precisión Máquina de Chanfrado de Bordes de Wafer
2025-10-13995

En campos como la semiconductores y la óptica que exigen una precisión de procesamiento extremadamente alta, el proceso de chanfrado de materiales duros y quebradizos es un elemento clave que determina el rendimiento del producto. Después del chanfrado preciso, diversos wafers pueden mejorar su resistencia y rigidez, evitando la aparición de grietas en los bordes y roturas en las esquinas durante el procesamiento subsiguiente.

1. Principio y ventajas de la Máquina de Chanfrado de Bordes de Wafer

El equipo está equipado con un módulo de pulido de alta precisión, combinado con un mecanismo de transporte sincrónico de alta velocidad y un sistema de posicionamiento y medición visual CCD, que puede capturar desviaciones de posición de wafers en tiempo real y corregirlas dinámicamente. La unidad de posicionamiento por zonas del mecanismo de pulido puede realizar calibración de posicionamiento a nivel micrónico en wafers de borde, evitando pérdidas de precisión causadas por desviaciones de posicionamiento desde la fuente del procesamiento.
  • Mecanismo de entrada de parámetros precisos: Soporta la entrada digital de parámetros clave como diámetro de wafer (Φ4-8 pulgadas), longitud del borde de posicionamiento y ancho de superficie, con una precisión de configuración de parámetros de hasta 0.001 mm. El sistema puede coincidir automáticamente el algoritmo de procesamiento correspondiente, evitar errores causados por ajustes manuales de parámetros y garantizar que los parámetros del proceso se alineen estrechamente con las necesidades de procesamiento.

2. Parámetros técnicos de la Máquina de Chanfrado de Bordes de Wafer

  • Precisión de movimiento y medición: La resolución de movimiento mínima de la rueda de pulido es solo 0.5 μm, permitiendo un control de avance a nivel nanométrico;
  • Precisión de posicionamiento y plataforma: 3 conjuntos de sistemas de posicionamiento visual CCD trabajan en conjunto, con una precisión de píxel de posicionamiento de 3 μm y una precisión de posicionamiento repetido de cada eje de 5 μm, garantizando que la desviación de posición en cada sujeción de wafer sea menor que el umbral del proceso; la plataforma de pulido adopta una base de mármol, con el salto de cara frontal controlado dentro de 5 μm y la concentricidad entre el producto y la mesa de pulido de ±5 μm, eliminando el impacto de las vibraciones de la plataforma en la precisión de procesamiento;
  • Precisión de chanfrado y forma: Cuando el ángulo de la rueda de pulido es 45°, la precisión de chanfrado se controla de manera estable dentro de 10 μm; la capacidad de control de redondez del wafer es <10 μm y la precisión de control de ángulo es ±0.1°, lo que puede satisfacer los estrictos requisitos de precisión de forma de borde de chips de semiconductores, lentes ópticas, etc.

3. Aplicaciones industriales de la Máquina de Chanfrado de Bordes de Wafer

  • Campo de semiconductores: Al realizar chanfrado de ambos lados en wafers de silicio y wafers de carburo de silicio, puede evitar grietas en los bordes, al mismo tiempo que garantiza la planitud del wafer, proporciona sustratos calificados para los procesos subsiguientes de litografía y empaquetado, y reduce la tasa de defectos en el proceso de fabricación de chips;
  • Campo de óptica: Para materiales como vidrio óptico y cristales de zafiro, puede controlar con precisión el ángulo de chanfrado y la rugosidad del borde, reducir las pérdidas por refracción de la luz y mejorar la transmitancia de luz y la calidad de imagen de los elementos ópticos.
De lo anterior se puede concluir que la Máquina de Chanfrado de Bordes de Wafer logra una precisión de procesamiento a nivel micrónico mediante pulido de alta precisión, posicionamiento visual y control de parámetros digitales. Puede satisfacer las necesidades de chanfrado de wafers de materiales duros y quebradizos en los campos de semiconductores y óptica, proporcionar sustratos calificados para procesos subsiguientes y reducir la tasa de defectos.
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