반도체, 광학 등 가공 정밀도가 매우 높은 분야에서 경질 취성 재료의 챔퍼링 공정은 제품 성능을 결정하는 핵심环节이다. 다양한 웨이퍼는 정밀 챔퍼링을 거친 후 웨이퍼의 강도와 강성을 향상시킬 수 있으며, 다음 가공 단계에서 웨이퍼 가장자리나 모서리가 파손되는 현상을 방지할 수 있다.
장비는 고정밀 그라인딩 모듈을 탑재하고, 고속 동기 이송 기구와 CCD 시각 위치 결정 측정 시스템과 함께 사용하여 웨이퍼 위치 편차를 실시간으로 포착하고 동적으로 수정할 수 있다. 그라인딩 기구의 구역별 위치 결정 유닛은 가장자리 웨이퍼에 대한 마이크론 단위 위치 보정을 수행할 수 있으며, 가공 원천에서 위치 편차로 인한 정밀도 손실을 방지한다.
- 정밀화 매개변수 입력 기구: 직경 (Φ4-8 인치) 웨이퍼, 위치 결정 가장자리 길이, 면폭 등 핵심 매개변수의 디지털 입력을 지원하며, 매개변수 설정 정밀도는 0.001mm에 달한다. 시스템은 해당 가공 알고리즘을 자동으로 매칭할 수 있으며, 수동 매개변수 조정으로 인한 오차를 방지하여 공정 매개변수와 가공 요구사항이 높은 일치도를 갖도록 보장한다.
- 운동 및 측정 정밀도: 그라인딩 휠의 최소 운동 해상도는 0.5μm에 불과하며, 나노급 이송 제어가 가능;
- 위치 결정 및 플랫폼 정밀도: CCD 시각 위치 결정 시스템 3세트가 협력 작업하며, 위치 결정 픽셀 정밀도는 3μm, 각 축 반복 위치 결정 정밀도는 5μm로, 웨이퍼 장착 시마다 위치 편차가 공정 임계값보다 작도록 보장; 그라인딩 플랫폼은 대리석 기반을 채택하며, 단면 요동은 5μm 이내로 제어되고, 제품과 그라인딩 테이블의 동심도는 ±5μm로, 플랫폼 진동이 가공 정밀도에 미치는 영향을 제거;
- 챔퍼링 및 형상 정밀도: 그라인딩 휠 각도 45° 시, 챔퍼링 정밀도는 10μm 이내로 안정적으로 제어; 웨이퍼 진원도 제어 능력은 <10μm, 각도 제어 정밀도는 ±0.1°로, 반도체 칩, 광학 렌즈 등 가장자리 형상 정밀도에 대한 엄격한 요구를 충족할 수 있다.
- 반도체 분야: 실리콘 웨이퍼, 탄화규소 웨이퍼에 양면 챔퍼링을 수행할 때 가장자리 균열을 방지할 수 있으며, 동시에 웨이퍼 평탄도를 보장하여 후속 리소그래피, 패키징 공정에 적격 기판을 제공하고, 칩 제조 과정에서不良률을 낮춤;
- 광학 분야: 광학 유리, 사파이어 결정 등 재료에 대해 챔퍼링 각도와 가장자리 광택도를 정밀하게 제어할 수 있으며, 빛 굴절 손실을 줄이고 광학 소자의 광투과율과 이미징 품질을 향상시킴.
위에서 언급한 내용으로 볼 때,
웨이퍼 가장자리 챔퍼링 머신은 고정밀 그라인딩, 시각 위치 결정 및 디지털 매개변수 제어를 통해 마이크론 단위 가공 정밀도를 달성한다. 반도체 및 광학 분야의 경질 취성 재료 웨이퍼에 대한 챔퍼링 요구를 충족시킬 수 있으며, 후속 공정에 적격 기판을 제공하고不良률을 낮출 수 있다.
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