이면 박층화 장비에서 웨이퍼 정밀 고효율 박층화의 핵심 기준은 두께 정밀도 ±1–2μm, TTV(총 두께 변화) ≤2μm, 그리고 칩핑·잠균열·표면 스크래치 등의 결함이 없어야 합니다. 이를 구현하려면 웨이퍼 전처리, 장비·소모품 매칭, 공정 정밀 제어, 전 공정 품질 모니터링의 유기적 연계가 필요하며, 핵심은 소재 제거 효율과 웨이퍼 가공 완성도의 균형입니다.
전제 조건: 전처리 및 장비·소모품 매칭
웨이퍼 전처리는 초기 평탄도 확보, 이면의 불순물·산화막 제거, 그리고 고점착 UV 테이프/블루 테이프를 이용한 전면 보호가 완료되어야 가공 중 전면 패턴 손상을 방지할 수 있습니다.
장비 교정: 주축 방향 진동 ≤0.5μm, 이송 기구 위치 정밀도 ≤0.1μm.
소모품 단계별 매칭: 조연마 1000–2000# 다이아몬드 숫돌, 정연마 3000–8000# 수지 결합 숫돌. 연마 분진의 교차 오염을 엄격히 금지. 냉각 시스템은 유량 10–15L/min으로 안정화.
핵심 공정: 단계별 연마 정밀 제어
조연마: 고효율 잉여 소재 제거. 회전수 15000–25000rpm, 연마 압력 0.3–0.5MPa, 이송 속도 200–300μm/min. 강성 연마로 목표 두께 +20–30μm까지 신속 감소.
정연마: 정밀도 및 표면 품질 확보. 회전수 25000–30000rpm, 압력 0.1–0.2MPa, 이송 속도 50–100μm/min. 미세 절삭으로 두께 편차 보정, 표면 조도 Ra≤50nm 확보.
품질 관리: 결함 방지 및 이중 검사
전 공정 청정도 Class 100 이상, 온도 ≤40℃ 관리.
결함 대응: 칩핑 시 압력 저하 및 숫돌 평탄도 확인, 두께 편차 시 온라인 측정으로 이송량 보정.
이중 검사: 레이저 측두기로 다점 두께·TTV 확인, 현미경으로 표면 결함 검사.
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