Как добиться точной и эффективной тонкости пластин на машине для обратного утончения-

Как добиться точной и эффективной тонкости пластин на машине для обратного утончения

2026-02-19658

Основные критерии точной и эффективной тонкости пластин на машине для обратного утончения: точность контроля толщины ±1–2 мкм, TTV (общее изменение толщины) ≤2 мкм, отсутствие дефектов: сколов кромок, микротрещин, царапин поверхности. Это достигается за счет системной координации предварительной обработки пластин, согласования оборудования и расходников, точного контроля технологии и полного контроля качества. Ключевое — баланс между скоростью удаления материала и целостностью пластины.

Предварительные условия: подготовка и согласование оборудования с расходниками
Предварительная обработка обеспечивает нужную плоскостность, отсутствие примесей и оксидного слоя на обратной стороне, защиту лицевой стороны (высококлейкая УФ‑лента/синяя лента) для предотвращения повреждения структур при обработке.
Калибровка: радиальное биение шпинделя ≤0,5 мкм, точность позиционирования механизма подачи ≤0,1 мкм.
Расходники подбираются поэтапно: грубая шлифовка — алмазные круги 1000–2000#, чистовая — смоляные круги 3000–8000#. Перекрестное загрязнение шлифовальной пылью запрещено. Охлаждение настроено на расход 10–15 л/мин.
Основной процесс: точный контроль ступенчатой шлифовки

Грубая шлифовка: эффективное удаление излишков. Скорость 15000–25000 об/мин, давление 0,3–0,5 МПа, подача 200–300 мкм/мин. Толщина быстро доводится до значения «цель +20–30 мкм».
Чистовая шлифовка: обеспечение точности и качества. Скорость 25000–30000 об/мин, давление 0,1–0,2 МПа, подача 50–100 мкм/мин. Микрообработка корректирует толщину, снижает шероховатность до Ra ≤50 нм.

Контроль качества: предотвращение дефектов и двойной контроль

Чистота помещения — не ниже класса 100, температура ≤40 ℃ для исключения тепловых трещин.
Коррекция дефектов: снижение давления и проверка круга при сколах; компенсация подачи при отклонениях толщины.
Двойной контроль: лазерный толщиномер для толщины и TTV, микроскоп для дефектов поверхности.

Следующая：Оборудование для утончения пластин полупроводников: основное назначение, классификация и практические требования к контролю