Станок использует планетарную схему шлифования, верхний и нижний диски движутся синхронно. Заготовки формируют сложную траекторию между дисками, припуск с обеих сторон снимается одновременно, нагрузка распределяется равномерно, что исключает риск деформации при односторонней обработке. Система сервоуправления давлением поддерживает программирование многоступенчатых кривых давления, динамически изменяет нагрузку по ходу технологического цикла и снижает ударное воздействие на заготовку в момент подачи давления. Циркуляционная система шлифовальной жидкости непрерывно подает рабочую среду, своевременно отводит тепло и абразивные частицы, стабилизирует зону обработки, регулирует скорость съема материала и предотвращает появление поверхностных трещин. Все технологические параметры сохраняются в виде рецептов для повторяемости при серийном производстве и стабильности партий. Монокристаллический кремний хрупкий и крайне чувствителен к технологическим напряжениям. Данный способ эффективно ограничивает глубину поврежденного слоя, обработанные пластины имеют хорошую плоскостность и малый разброс толщины. Стабильный результат подходит для предварительной обработки подложек полупроводниковых чипов и служит надежной основой для фотолитографии, соединения и других последующих операций. Скорость вращения дисков, время обработки и расход рабочей жидкости регулируются независимо, технология гибко адаптируется под разные требования к точности и обеспечивает баланс производительности и выхода годных изделий.