تعتمد المعدات بنية لف كوكبية، ويدور قرصا اللف العلوي والسفلي بشكل متزامن. تشكل القطع مسارات لف مركبة بين الأقراص، وتتم إزالة الفائض من السطحين في نفس الوقت مع توزيع متوازن للقوى، مما يتجنب مخاطر التشوه الناتجة عن المعالجة من جانب واحد. يدعم نظام التحكم في الضغط المؤازر برمجة منحنيات ضغط متعددة المراحل، ويعدل الحمل ديناميكياً وفقاً لتسلسل العملية، ويقلل الصدمة على القطعة عند تطبيق الضغط. يقوم نظام تدوير سائل اللف بتوريد الوسط باستمرار، ويزيل الحرارة والشوائب الكاشطة فوراً، ويستقر منطقة المعالجة، ويتحكم في معدل إزالة المادة ويقلل ظهور الشقوق السطحية. يمكن حفظ جميع معلمات العملية كوصفات لسهولة إعادة التطبيق في الإنتاج الضخم وضمان استقرار الدفعات. السيليكون أحادي البلورة هش وحساس للغاية لإجهادات المعالجة. هذه الطريقة تتحكم بفعالية في عمق الطبقة التالفة، وتتميز الرقائق بعد المعالجة باستواء جيد وانحراف سمك صغير. النتيجة المستقرة تلبي متطلبات المعالجة المسبقة لركائز رقائق أشباه الموصلات المختلفة، وتوفر أساساً موثوقاً للعمليات اللاحقة مثل الطباعة الضوئية والربط. يمكن ضبط سرعة دوران الأقراص، ومدة المعالجة، وتدفق سائل اللف بشكل مستقل. العملية مرنة، ويمكن تعديلها وفقاً لمتطلبات الدقة المختلفة، وتوازن بين كفاءة المعالجة ونسبة المنتجات السليمة.