Die Maschine verfügt über einen planetaren Läppaufbau, bei dem obere und untere Läppscheiben synchron laufen. Die Werkstücke bilden zwischen den Scheiben eine zusammengesetzte Läppbahn, der Materialabtrag erfolgt auf beiden Seiten gleichzeitig mit gleichmäßiger Kraftverteilung, wodurch Verformungen durch einseitige Bearbeitung vermieden werden. Das Servo-Druckregelsystem erlaubt die Programmierung mehrstufiger Druckkurven, passt die Belastung dynamisch an den Prozessablauf an und vermindert den Stoß auf das Werkstück bei Druckaufbau. Das Läppflüssigkeits-Kreislaufsystem liefert kontinuierlich das Medium, führt Wärme und Schleifabrieb zeitnah ab, stabilisiert den Bearbeitungsbereich, steuert die Materialabtragsrate und verhindert Oberflächenrisse. Alle Prozessparameter können als Rezepte gespeichert werden, damit sie in der Serienproduktion reproduzierbar sind und eine Chargenstabilität gewährleistet wird. Einkristallines Silizium ist spröde und reagiert empfindlich auf Bearbeitungsspannungen. Dieses Verfahren begrenzt wirksam die Tiefe der geschädigten Schicht. Die bearbeiteten Wafer weisen eine gute Ebenheit und geringe Dickentoleranzen auf. Die konstante Bearbeitungsqualität eignet sich zur Vorbehandlung unterschiedlicher Halbleiter-Chip-Substrate und bildet eine zuverlässige Grundlage für nachfolgende Schritte wie Photolithographie und Bonden. Die Scheibendrehzahl, Bearbeitungsdauer und Durchflussmenge der Läppflüssigkeit lassen sich unabhängig regeln. Der Prozess ist flexibel anpassbar an unterschiedliche Genauigkeitsanforderungen und vereinbart Bearbeitungseffizienz und Ausbeute.