Der zweiachsige Wafer-Schleifer ist mit zwei unabhängigen Schleifspindeln ausgestattet, die jeweils mit einer Grobschleifscheibe und einer Feinschleifscheibe bestückt sind. Bei einmaliger Einspannung des Wafers laufen Grob- und Feinrückschliff nacheinander ab, wodurch Positionierfehler durch wiederholtes Be- und Entladen vermieden werden. Das Servosystem der beiden Spindeln erlaubt die separate Einstellung von Drehzahl und Vorschub. Der Grobschliff entfernt Materialüberschuss schnell, der Feinschliff unterdrückt die Entstehung einer oberflächlichen Schädigungsschicht. Das Gerät verfügt über eine online-Dickenerkennung mit geschlossenem Regelkreis. Sie überwacht die Restdicke des Wafers in Echtzeit, passt den Schleifvorschub automatisch an und regelt zentrale Formtoleranzen wie TTV und Verwerfung stabil. Die hochsteife Maschinenstruktur dämpft Schleifvibrationen, verringert die Bearbeitungsspannung des Wafers und senkt die Bruchgefahr. Er eignet sich für die Rückseitenbearbeitung von 6–12 Zoll Einkristallsilizium- und Siliziumkarbid-Wafern und unterstützt sowohl Musterfertigung für Forschung und Entwicklung als auch Serienproduktion. Prozessparameter-Rezepte lassen sich speichern und wiederverwenden, um eine gleichbleibende Qualität der Charge sicherzustellen. Die bearbeiteten Wafer können direkt nachfolgenden Halbleiterprozessen wie Polieren und Metallisierung zugeführt werden.