Die zweiseitige Läppmaschine verfügt über ein Planetengetriebe. Der Träger bewegt die Wafer zwischen oberer und unterer Läppscheibe in einer zusammengesetzten Bewegung. Durch eine flexible segmentierte Druckbeaufschlagung wird eine punktuelle Druckkonzentration vermieden und die Eigenspannung im Wafer reduziert. Ein gleichmäßiger Materialabtrag gleicht die Kräfte auf beiden Seiten des Wafers aus und vermindert den Verzug nach der Bearbeitung. Die Anlage ist mit einem Servo-Druckregelmodul und einer Echtzeit-Dickenmessung ausgestattet. Druck, Drehzahl der Läppscheiben und Bearbeitungsdauer werden anhand der Echtzeit-Dickenrückmeldung dynamisch angepasst, um örtliches Überläppen zu verhindern. Läppscheiben mit hoher Ebenheit sorgen für eine über den gesamten Wafer gleichmäßige Abtragsrate und schwächen Verformungen durch ungleichmäßigen Materialabtrag ab. Sie eignet sich für 6–12 Zoll Halbleiterwafer aus einkristallinem Silizium, Siliziumkarbid und weiteren Materialien und unterstützt getrennte Prozesse für Grobläppen und Feinläppen. Eine schwingungsdämpfende Gesamtkonstruktion unterdrückt Vibrationen beim Läppen und verringert zusätzlich oberflächennahe Schäden. Dieses Verfahren verbessert den Waferverzug wirksam, senkt das Bruchrisiko bei nachfolgenden Bearbeitungsschritten und erfüllt die strengen Anforderungen an die Formgenauigkeit von Wafern für die Herstellung von Halbleiterbauelementen.