La máquina de lapeado doble adopta una estructura de transmisión planetaria. El portador hace que las obleas realicen un movimiento compuesto entre los platos de lapeado superior e inferior. Mediante una carga de presión segmentada flexible, evita la concentración de presión puntual y reduce la tensión residual interna de la oblea. El modo de eliminación uniforme de material equilibra las fuerzas en ambas caras de la oblea y reduce el alabeo tras el procesado. El equipo cuenta con un módulo de regulación de presión servo y una unidad de detección de espesor en tiempo real. Ajusta dinámicamente la presión, la velocidad de los platos y el tiempo de procesado según la retroalimentación del espesor para evitar el lapeado excesivo local. Los platos de lapeado de alta planicidad garantizan una tasa de eliminación uniforme en toda la oblea y reducen la deformación causada por la eliminación desigual. Es compatible con obleas semiconductoras de silicio monocristalino, carburo de silicio de 6–12 pulgadas, admite procesos separados de lapeado grueso y lapeado fino. Su estructura amortiguadora de vibraciones suprime las vibraciones del lapeado y reduce aún más los daños subsuperficiales. Este proceso mejora eficazmente el alabeo de la oblea, disminuye el riesgo de rotura en procesos posteriores y cumple los estrictos requisitos de precisión geométrica de obleas para la fabricación de dispositivos semiconductores.