Máquina rectificadora de obleas pequeña está diseñada para el desarrollo de prototipos y el pulido fino en pequeños lotes de obleas estandarizadas de 6–12 pulgadas. Con una estructura de alta rigidez y un sistema de movimiento de rectificado planetario de precisión, crea condiciones de rectificado uniformes en toda el área, resolviendo problemas clave del proceso de rectificado de obleas, como variación de espesor dentro de la oblea, desprendimiento de borde y distorsión planar. El equipo incorpora un sistema de control de bucle cerrado tridimensional de alta precisión para presión, velocidad de giro y duración del procesamiento, logrando una eliminación constante de material a escala micrométrica. Es apto para el adelgazamiento y la planarización de sustratos semiconductores como obleas de silicio, carburo de silicio, zafiro y cuarzo. Al equilibrar dinámicamente la precisión de rotación del plato, contrarresta eficazmente la concentración de tensiones y la deformación térmica durante el procesamiento de obleas, controla estrictamente la planitud global, paralelismo y variación total de espesor de la oblea, y reduce considerablemente los daños superficiales por rectificado y las tensiones residuales. En comparación con los equipos de rectificado de obleas grandes para producción masiva, esta máquina cuenta con un rango de ajuste de parámetros más amplio y mayor adaptabilidad de proceso. Puede alternar flexiblemente entre rectificado grueso, rectificado fino y rectificado ultra fino, y admite la verificación iterativa rápida de consumibles de rectificado y fórmulas de proceso. El equipo es compatible con la fabricación de muestras individuales y el procesamiento de obleas en pequeños lotes, con bajo costo de ensayo y alta reproducibilidad del proceso, permitiendo obtener rápidamente datos de proceso estables y fiables. Las obleas procesadas presentan una excelente planitud superficial sin microfisuras ni arañazos evidentes. El estado del sustrato cumple totalmente los requisitos de procesos de precisión posteriores, como fotolitografía, recubrimiento y unión. Se utiliza ampliamente para el desarrollo de procesos y preparación de muestras de obleas de 6–12 pulgadas en institutos de investigación de semiconductores, laboratorios universitarios y centros de I+D empresariales.