Малогабаритный шлифовальный станок для пластин разработан для опытно-промышленных испытаний и мелкосерийной тонкой полировки стандартных пластин размером 6–12 дюймов. Благодаря жесткой станине и точной планетарной системе шлифования создаются равномерные условия шлифования по всей поверхности пластины, что решает основные технологические проблемы: неравномерную толщину внутри пластины, сколы по краю и искажение плоскости. Станок оснащен высокоточной трехмерной системой замкнутого регулирования давления, частоты вращения и времени обработки, обеспечивает стабильное микронное удаление материала. Подходит для утонения и выравнивания полупроводниковых подложек: кремниевых пластин, карбида кремния, сапфира, кварца. Динамическая балансировка точности вращения плиты эффективно компенсирует концентрацию напряжений и температурную деформацию при обработке пластин, строго контролирует общую плоскостность, параллельность и отклонение общей толщины, значительно снижает повреждения поверхности при шлифовании и остаточные напряжения. По сравнению с крупным шлифовальным оборудованием для массового производства этот станок имеет более широкий диапазон регулировки параметров и лучшую адаптируемость к технологиям. Возможна гибкая смена операций грубого, тонкого и сверхтонкого шлифования, поддерживается быстрая проверка итераций расходных материалов и рецептур технологий. Станок подходит как для изготовления одиночных малых образцов, так и для мелкосерийной обработки пластин, имеет низкую стоимость проб и высокую воспроизводимость процессов, быстро выдает стабильные достоверные технологические данные. Обработанные пластины имеют отличную плоскостность поверхности без выраженных микротрещин и царапин. Состояние подложки полностью соответствует требованиям последующих точных процессов: фотолитографии, нанесения покрытий, сращивания. Оборудование широко применяется для разработки технологий и подготовки образцов пластин 6–12 дюймов в научно-исследовательских институтах полупроводниковой отрасли, университетских лабораториях и корпоративных центрах исследований и разработок.