Piccola rettificatrice per wafer è progettata per la produzione sperimentale e la lucidatura fine in piccoli lotti di wafer standardizzati da 6–12 pollici. Grazie alla struttura rigida e al sistema di rettifica planetaria di precisione, crea condizioni di rettifica uniformi su tutta la superficie, risolvendo le problematiche di processo tipiche della rettifica dei wafer: variazione di spessore all'interno del wafer, rottura dei bordi e distorsione planare. L'apparecchiatura è dotata di un sistema di controllo a ciclo chiuso tridimensionale ad alta precisione per pressione, velocità di rotazione e durata della lavorazione, e consente l'asportazione costante di materiale a livello micrometrico. È adatta all'assottigliamento e alla planarizzazione di substrati semiconduttori tra cui wafer di silicio, carburo di silicio, zaffiro e quarzo. Bilanciando dinamicamente la precisione di rotazione del piatto, compensa efficacemente la concentrazione di sollecitazioni e la deformazione termica durante la lavorazione, controlla rigidamente la planarità globale, il parallelismo e la variazione totale di spessore del wafer, riducendo notevolmente i danni superficiali da rettifica e le tensioni residue. Rispetto alle grandi macchine di rettifica per wafer per produzione di massa, questa unità ha un intervallo di regolazione dei parametri più ampio e una maggiore adattabilità ai processi. Può passare in modo flessibile tra rettifica grossolana, rettifica fine e ultra-fine e supporta la verifica iterativa rapida dei materiali di consumo e delle formule di processo. L'apparecchiatura supporta sia la produzione di singoli campioni sia la lavorazione di wafer in piccoli lotti, con bassi costi di prova e alta riproducibilità del processo, per generare rapidamente dati di processo stabili e affidabili. I wafer lavorati hanno un'ottima planarità superficiale, senza microcricche o graffi evidenti. Lo stato del substrato soddisfa pienamente i requisiti dei processi di precisione successivi come fotolitografia, rivestimento e bonding. È ampiamente utilizzata per lo sviluppo di processi e la preparazione di campioni di wafer da 6–12 pollici in istituti di ricerca sui semiconduttori, laboratori universitari e centri di ricerca e sviluppo aziendali.