Macchina di lappatura a doppia facciata per tantalato di litio adotta una struttura di lappatura contraria a due piatti. Completa la lappatura sincrona su entrambi i lati del wafer in un solo serraggio e la quantità di rimozione del materiale su entrambe le superfici mantiene un equilibrio dinamico. Dotata di sistema di controllo della pressione a basso stress e trasmissione planetaria ad alta precisione, il piatto ruota stabilmente e la traiettoria di lappatura è uniforme su tutta l'area. In considerazione delle proprietà dure e fragili del monocristallo di tantalato di litio, durante la lavorazione si controlla con precisione l’immissione di stress per inibire efficacemente la formazione di microcricche e danni reticolari, preservando integralmente le proprietà piezoelettriche e ottiche intrinseche del materiale. L’apparecchiatura controlla in modo stabile e ad alta precisione la tolleranza di spessore, parallelismo e planarità del wafer, evitando completamente deviazioni di posizionamento e deformazione del wafer derivanti dal tradizionale processo di lappatura con molteplici ribaltamenti. Realizza la lappatura di precisione integrata dei wafer di tantalato di litio con lavorazione sincrona bifacciale, basso danno e alta accuratezza.
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