탄탈산리튬 양면 래핑 머신은 양 디스크 대면 래핑 구조를 채택합니다. 한 번의 클램핑으로 웨이퍼 양면 동시 래핑 가공을 완료하며 양쪽 재료 제거량은 동적 균형을 유지합니다. 저응력 압력 제어 시스템과 고정밀 유성 전동 장치가 탑재되어 가공반 회전이 안정되고 전영역 연마 궤적이 균일합니다. 탄탈산리튬 단결정의 경취 특성에 맞춰 가공 중 응력 투입을 정밀 제어해 미세균열 발생과 격자 손상을 효과적으로 억제하고 소재 고유의 압전 특성과 광학 특성을 완전히 보존합니다. 장비는 웨이퍼 두께 공차, 평행도, 평면도를 고정밀도로 안정 제어하며 기존 다회 뒤집기 래핑 공정으로 인한 위치 편차, 웨이퍼 휨 변형 등 문제를 완전히 피할 수 있습니다. 탄탈산리튬 웨이퍼 양면 동시, 저손상, 고정밀 일체형 정밀 래핑 가공을 실현합니다.