해당 장비는 유성식 래핑 구조를 채택하여 상하 래핑반이 동기 운동합니다. 가공물은 반 사이에서 복합 래핑 궤적을 형성하고 양면의 가공 여유가 동시에 제거되어 응력이 균형을 이루며, 단면 가공으로 인한 변형 위험을 방지합니다. 서보 압력 제어 시스템은 다단 압력 곡선 편집을 지원하며 공정 흐름에 따라 하중을 동적으로 조절하여 가압 순간 가공물에 가해지는 충격을 줄입니다. 래핑액 순환 시스템은 가공 매체를 지속 공급하고 열과 연마 찌꺼기를 신속히 배출해 가공 환경을 안정화하고 재료 제거 속도를 제어하여 표면 균열 발생을 억제합니다. 모든 공정 파라미터는 레시피로 저장되어 양산 시 재현이 용이하고 배치 안정성을 확보합니다. 단결정 실리콘은 취성이 강하고 가공 응력에 매우 민감합니다. 이 가공 방식은 손상층 깊이를 효과적으로 제어하며 가공 후 웨이퍼는 양호한 평면도와 작은 두께 편차를 가집니다. 안정적인 가공 품질은 다양한 반도체 칩 기판의 전처리 요건을 충족하며 포토리소그래피, 본딩 등 후속 공정에 신뢰할 수 있는 기반을 제공합니다. 반 회전 속도, 가공 시간, 래핑액 공급 유량은 독립적으로 조절 가능하며 정밀도 요구에 따라 공정을 유연하게 변경해 가공 효율과 수율을 동시에 고려할 수 있습니다.