L’apparecchiatura adotta una struttura di lappatura planetaria, i piatti superiore e inferiore ruotano in sincronia. I pezzi formano tra i piatti traiettorie di lappatura composite, l’asportazione di materiale avviene contemporaneamente su entrambe le superfici con ripartizione uniforme delle forze, eliminando i rischi di deformazione derivanti dalla lavorazione su un solo lato. Il sistema di controllo della pressione servo consente la programmazione di curve di pressione a più segmenti, regola il carico dinamicamente in base al ciclo di processo e riduce l’urto sul pezzo al momento dell’applicazione della pressione. Il sistema di ricircolo del fluido di lappatura fornisce continuamente il mezzo, rimuove rapidamente calore e residui abrasivi, stabilizza l’area di lavorazione, controlla la velocità di asportazione del materiale e limita la formazione di crepe superficiali. Tutti i parametri di processo possono essere salvati come ricette per la riproducibilità nella produzione seriale e garantire la stabilità dei lotti. Il silicio monocristallino è fragile e molto sensibile alle tensioni di lavorazione. Questo metodo limita efficacemente lo spessore dello strato danneggiato; i wafer lavorati hanno una buona planarità e una bassa deviazione di spessore. La qualità costante soddisfa le esigenze di pretrattamento di diversi substrati per chip semiconduttori e costituisce una base affidabile per fasi successive come la fotolitografia e il bonding. La velocità di rotazione dei piatti, la durata della lavorazione e la portata del fluido sono regolabili separatamente. Il processo è flessibile, si adatta a diversi requisiti di precisione e combina efficienza produttiva e resa.