La macchina di lappatura doppia utilizza una trasmissione planetaria. Il supporto fa compiere ai wafer un moto composto tra il piatto di lappatura superiore e inferiore. Grazie al caricamento flessibile e segmentato della pressione, si evita la concentrazione locale della pressione e si riduce la tensione residua interna del wafer. La rimozione uniforme del materiale bilancia le forze su entrambe le facce del wafer e riduce l’imbarcamento dopo la lavorazione. L’apparecchiatura è dotata di un modulo di regolazione servo della pressione e di un’unità di rilevazione dello spessore in tempo reale. Pressione, velocità dei piatti e durata della lavorazione vengono regolati dinamicamente sulla base del feedback dello spessore, per prevenire la lappatura eccessiva locale. I piatti di lappatura ad alta planarità garantiscono una velocità di rimozione uniforme su tutto il wafer e riducono la deformazione causata da rimozione non uniforme. È adatta per wafer semiconduttori da 6–12 pollici in silicio monocristallino, carburo di silicio e altri materiali, supporta cicli separati di lappatura grossolana e fine. La struttura antivibrante dell’intera macchina attenua le vibrazioni di lappatura e riduce ulteriormente i danni sottosuperficiali. Questo processo limita efficacemente l’imbarcamento del wafer, riduce il rischio di rottura nelle lavorazioni successive e soddisfa i severi requisiti di precisione dimensionale per la produzione di componenti semiconduttori.