양면 래핑기는 유성 동력 전달 구조를 채택합니다. 캐리어가 웨이퍼를 상하 래핑 플레이트 사이에서 복합 운동시키며, 유연한 분할 가압 방식으로 국부 압력 집중을 막고 웨이퍼 내부 잔류 응력을 낮춥니다. 균일한 재료 제거 방식은 웨이퍼 양면의 힘을 균형 맞춰 가공 후 휨량을 줄입니다. 장비는 서보 압력 조절 모듈과 실시간 두께 검출 유닛을 탑재하여 웨이퍼 실시간 두께 피드백에 따라 압력, 플레이트 회전 속도, 가공 시간을 동적으로 조절하여 국부 과잉 래핑을 방지합니다. 고평면도 래핑 플레이트는 웨이퍼 전면의 재료 제거 속도를 균일하게 유지하고 제거량 불균일로 인한 변형을 완화합니다. 6~12인치 단결정 실리콘, 탄화규소 등 반도체 웨이퍼에 적합하며 조면 래핑과 정밀 래핑의 분할 공정 운영을 지원합니다. 본체 방진 구조는 래핑 진동을 억제하여 표면 하부 손상을 더욱 줄입니다. 해당 공정은 웨이퍼 휨 문제를 효과적으로 개선하고 후속 가공 시 파손 위험을 낮추며 반도체 소자 제조에서 요구되는 웨이퍼 형상 정밀도의 엄격한 기준을 만족합니다.