소형 웨이퍼 연마기는 6–12인치 표준 웨이퍼 연구시제작 및 소량 정밀 연마 공정에 맞춰 설계되었습니다. 고강성 본체와 정밀 유성 연마 운동 시스템을 기반으로 전면 균일한 연마 환경을 구축하여 웨이퍼 연마에서 자주 발생하는 웨이퍼 내 두께 편차, 가장자리 붕괴, 평면 왜곡 등 핵심 공정 난제를 해결합니다. 장비는 압력, 회전 속도, 가공 시간에 대한 고정밀 3차원 폐쇄 루프 제어 시스템을 탑재하여 마이크로미터 단위의 미량 일정 재료 제거를 실현합니다. 실리콘 웨이퍼, 탄화규소, 사파이어, 석영 등 반도체 기판의 박막화 및 평탄화 가공에 적합합니다. 디스크 회전 정밀도를 동적으로 균형화하여 웨이퍼 가공 중 응력 집중과 온도 상승 변형을 효과적으로 상쇄하며, 웨이퍼 전체의 평면도, 평행도 및 총 두께 편차를 엄격히 제어하고 표면 연마 손상과 잔류 응력을 크게 낮춥니다. 양산형 대형 웨이퍼 연마 장비와 비교했을 때 이 장비는 파라미터 조절 범위가 더 넓고 공정 적응성이 강합니다. 거친 연마, 정밀 연마, 초정밀 연마 공정을 유연하게 전환할 수 있으며 연마 소모품과 공정 배합의 빠른 반복 검증을 지원합니다. 단일 소시험편 제작과 소량 웨이퍼 가공을 모두 지원하며 시행착오 비용이 낮고 공정 재현성이 높아 안정적이고 신뢰할 수 있는 공정 데이터를 신속하게 산출할 수 있습니다. 가공 후 웨이퍼는 표면 평탄도가 우수하고 뚜렷한 미세균열과 스크래치가 없습니다. 기판 상태는 포토리소그래피, 코팅, 본딩 등 후속 정밀 공정 요구사항을 완전히 충족하며 반도체 연구기관, 대학 연구실, 기업 연구개발 센터에서 6–12인치 웨이퍼 공정 개발과 시편 제작에 널리 활용됩니다.