Come ottenere l’assottigliamento preciso ed efficiente dei wafer sulla Macchina per assottigliamento posteriore-

Come ottenere l’assottigliamento preciso ed efficiente dei wafer sulla Macchina per assottigliamento posteriore

2026-02-19662

I criteri per l’assottigliamento preciso ed efficiente sulla Macchina per assottigliamento posteriore sono: precisione di spessore ±1–2 μm, TTV (variazione totale spessore) ≤2 μm e assenza di difetti come scheggiature, microcricche o graffi. Si ottiene tramite coordinamento di pre-trattamento, apparecchiature, consumabili, controllo di processo e monitoraggio qualità. Il punto chiave è bilanciare efficienza di rimozione e integrità del wafer.

Prerequisiti: Pre-trattamento e abbinamento apparecchiature-consumabiliPre-trattamento: garantire planarità, pulizia della faccia posteriore, protezione frontale (nastro UV/blue) per evitare danni ai pattern.Calibrazione: gioco radiale mandrino ≤0,5 μm, precisione posizionamento ≤0,1 μm.Consumabili: rettifica grossa 1000–2000# mole diamantate, rettifica fine 3000–8000# mole resinose. Vietata contaminazione incrociata. Raffreddamento 10–15 L/min.
Processo centrale: Controllo preciso della rettifica graduale

Rettifica grossa: rimozione efficiente. Velocità 15000–25000 rpm, pressione 0,3–0,5 MPa, avanzamento 200–300 μm/min. Spessore portato a valore obiettivo +20–30 μm.
Rettifica fine: precisione e qualità. Velocità 25000–30000 rpm, pressione 0,1–0,2 MPa, avanzamento 50–100 μm/min. Micro-lavorazione corregge spessore, Ra ≤50 nm.

Controllo qualità: Prevenzione difetti e ispezione doppiaPulizia Classe 100, temperatura ≤40 ℃.Gestione difetti: ridurre pressione e controllare mola in caso di scheggiature; correzione avanzamento per deviazioni spessore.Ispezione doppia: misuratore laser per spessore/TTV, microscopio per difetti superficiali.

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