Wie man präzises und effizientes Wafer-Dünnen auf der Rückdünnmaschine erreicht-

Wie man präzises und effizientes Wafer-Dünnen auf der Rückdünnmaschine erreicht

2026-02-19660

Die Kriterien für präzises und effizientes Wafer-Dünnen auf der Rückdünnmaschine sind: Dickensteuergenauigkeit ±1–2 μm, TTV (Total Thickness Variation) ≤2 μm und keine Defekte wie Kantenabsplitterung, Mikrorisse oder Oberflächenkratzer. Erreicht wird dies durch Abstimmung von Vorbehandlung, Gerät und Verbrauchsmaterial, Prozesssteuerung und Qualitätsüberwachung. Der Kern ist die Balance zwischen Abtragsleistung und Bauteilintegrität.

Voraussetzungen: Vorbehandlung und Geräte-Verbrauchsmittel-Abstimmung
Die Wafer-Vorbehandlung sichert Ebenheit, saubere Rückseite ohne Oxid und geschützte Vorderseite (hochklebriges UV-Band/Blaues Band), um Strukturschäden zu vermeiden.
Gerätekalibrierung: Spindel-Radialspiel ≤0,5 μm, Positioniergenauigkeit ≤0,1 μm.
Verbrauchsmittel: Grobschleifen 1000–2000# Diamantscheiben, Feinschleifen 3000–8000# harzgebundene Scheiben. Kreuzkontamination verboten. Kühlung eingestellt auf 10–15 L/min.
Kernprozess: Gesteuertes gestuftes Schleifen

Grobschleifen: effizienter Abtrag. Drehzahl 15000–25000 min⁻¹, Druck 0,3–0,5 MPa, Vorschub 200–300 μm/min. Dicke schnell auf Zielwert +20–30 μm gebracht.
Feinschleifen: Genauigkeit und Oberfläche. Drehzahl 25000–30000 min⁻¹, Druck 0,1–0,2 MPa, Vorschub 50–100 μm/min. Mikrobearbeitung korrigiert Dicke, Ra ≤50 nm.

Qualitätskontrolle: Defektvermeidung und Doppelprüfung

Reinheit Klasse 100, Temperatur ≤40 ℃.
Defektbehandlung: Druck senken und Scheibe prüfen bei Absplitterung; Online-Korrektur bei Dickenabweichung.
Doppelprüfung: Laserdickenmessung für Dicke/TTV, Mikroskop für Oberflächendefekte.

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