Halbleiter-Dünnungsanlagen: Kernfunktion, Klassifizierung und praktische Steuerungspunkte-

Halbleiter-Dünnungsanlagen: Kernfunktion, Klassifizierung und praktische Steuerungspunkte

2026-02-17951

Halbleiter-Dünnungsanlagen sind Kernanlagen für die Halbleiter-Backend-Verpackung. Ihre Kernfunktion besteht darin, Wafer durch Präzisionsschleifen und Läppen von einer Ausgangsdicke von 600–800 μm auf eine Zieldicke von 50–200 μm präzise zu dünnen, um fortschrittlichen Anforderungen wie Chip-Verdünnung und 3D-Verpackung zu entsprechen. Ihre Genauigkeit und Stabilität bestimmen direkt die Verpackungsausbeute und werden weitverbreitet bei der Bearbeitung von Silizium-, Galliumarsenid-, Siliziumkarbid-Wafern eingesetzt.

Kernklassifizierung der Anlagen
Nach Bearbeitungsverfahren unterteilt in zwei Kategorien:

Mechanische Dünnungsanlagen, basierend auf Schleifschleifen, umfassend Rückdünnungsmaschinen und Wafer-Schleifmaschinen, ausgerichtet auf Massenproduktion, branchenüblich.
Laser-Dünnungsanlagen, berührungslose Bearbeitung, geeignet für ultradünne, harte und spröde Wafer ≤ 50 μm, niedrige Fehlerrate, aber höhere Kosten und geringere Effizienz.

Kernkomponenten und Anforderungen
Kernkomponenten erfordern präzise Kalibrierung: Spindel-Radialspiel ≤ 0,5 μm, Positioniergenauigkeit des Vorschubmechanismus ≤ 0,1 μm, ausgestattet mit Online-Prüfung und Kühlsystem (Durchfluss 10–15 L/min). Verbrauchsmaterialien stufengerecht: Grobschleifen 500–2000# Diamantscheiben, Feinschleifen 3000–8000# harzgebundene Scheiben. Kreuzkontamination durch Schleifstaub streng verboten.
Prozess- und Qualitätssteuerung
Gestuftes Schleifen wird angewendet: Grobschleifen (1500–2500 min⁻¹, 0,3–0,5 MPa) zur effizienten Materialabtragung, Feinschleifen (3000–4000 min⁻¹, 0,1–0,2 MPa) zur Genauigkeitssicherung, mit Dickenabweichung ±1–2 μm und TTV ≤ 2 μm. Vollprozesssteuerung: Reinheit Klasse 100, Temperatur ≤ 40 ℃. Doppelte Prüfung erkennt Kantenabsplitterungen, Dickenabweichungen und sichert die Erfüllung der Verpackungsanforderungen.

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