Vollautomatische Wafer-Dünnungsanlage ist eine Kernausrüstung für fortschrittliche Halbleiterverpackung, und ihr technisches Niveau bestimmt direkt die Chip-Leistung und die Produktionsausbeute. Nach mehr als 20 Jahren technischer Forschungen und Entwicklungen hat der inländische Sektor das internationale Monopol 逐步 gebrochen und ein differenziertes Wettbewerbsumfeld geschaffen.

Die Forschung und Entwicklung von vollautomatischen Wafer-Dünnungsanlagen in China begann Anfang des 21. Jahrhunderts. In der frühen Phase lag der Fokus auf der Entwicklung von Prinzipprototypen, und die Industrialisierungstechnik für 8-Zoll-Anlagen wurde schrittweise durchbrochen.In den letzten Jahren, angetrieben von der wachsenden Nachfrage nach Halbleitern der dritten Generation, wurde die vollständige Größenabdeckung der Waferverarbeitung von 6 bis 12 Zoll erreicht. Es wurden Durchbrüche in der Verarbeitungstechnik für harte und brüchige Materialien erzielt, die Lokalisierungsrate von Kernkomponenten stieg erheblich, und die Ausrüstung ging schrittweise von der Labortestphase zur Massenproduktion und Anwendung über.

Internationale Modelle zeichnen sich durch Präzisionsstabilität und spezielle Prozesse aus und sind mit Kantenverstärkungstechnik ausgestattet. Die Dickentoleranz von 300mm-Wafern wird auf das 2μm-Niveau kontrolliert, die Bruchrate von ultradünnen Wafern ist extrem niedrig, und die mittlere Zeit zwischen Ausfällen (MTBF) übersteigt 1500 Stunden. Allerdings sind sie teuer und haben lange Wartungszyklen.Inländische Modelle haben sich mit hohem Preis-Leistungs-Verhältnis und Anpassungsfähigkeit durchgesetzt. Durch intelligente Prozessbibliotheken wird die Anpassung an die Verarbeitung verschiedener Materialien realisiert. Die TTV-Kontrolle von 12-Zoll-Wafern kann innerhalb von 3μm erreicht werden, was nahe an dem internationalen Spitzenniveau liegt, und die Wartungsreaktion ist bequemer.Der technische Abstand liegt hauptsächlich in den Bereichen von Spindeln mit ultralanger Lebensdauer und Spannungskontrolle von ultradünnen Wafern. Die Gerüststabilität von inländischen Modellen bei der Ultradünnverarbeitung unter 50μm bedarf noch einer Verbesserung.

Die Branche wird sich in Richtung "dünner, genauer, intelligenter" entwickeln, mit Fokus auf den Durchbruch in der Ultradünnverarbeitungstechnik für 300mm-Wafer unter 20μm sowie die Integration von In-situ-Inspektions- und Through-Silicon-Via-Justierfunktionen. Gleichzeitig muss die Lokalisierungsrate von Kernkomponenten stetig gesteigert werden. Für Schlüsseldienststoffe wie Schleifscheiben bedarf es in China nach wie vor intensiver Forschungen und Entwicklungen sowie konzentrierter Durchbrüche, um das internationale Monopol zu brechen.

Nach mehr als 20 Jahren Entwicklung haben inländische vollautomatische Wafer-Dünnungsanlagen die Massenproduktion erreicht und zeichnen sich durch hohes Preis-Leistungs-Verhältnis und Anpassungsfähigkeit aus. Zwischen ihnen und der importierten Ausrüstung besteht noch ein technischer Abstand. Zukünftig werden sie in Richtung "dünner, genauer, intelligenter" Durchbrüche erzielen und die Lokalisierungsrate von Kernkomponenten verbessern.