Новости
Рынковое применение и текущее состояние двухосных станков для тонкого шлифования кристаллов
2025-12-11825

  1. Позиционирование в отрасли и основные требованияДвухосной станок для тонкого шлифования кристаллов является ключевым оборудованием при последующей упаковке в производстве полупроводников. Он осуществляет грубую и тонкую шлифовку кристаллов посредством синхронной шлифовки двумя осями, быстро уменьшая толщину кристалла и одновременно улучшая шероховатость его поверхности. Точность его обработки напрямую влияет на теплоотводящие свойства, плотность упаковки и надежность чипов.
    С развитием полупроводниковых приборов в направлении уменьшения толщины, массы и повышения плотности рынок выдвигает жесткие требования: плоскостность ≤2 мкм, общее отклонение толщины (TTV) ≤3 мкм. Оборудование должно быть совместимо с кристаллами разных спецификаций от 6 до 12 дюймов, а также с новыми твердыми и хрупкими материалами, такими как карбид кремния и нитрид галлия.
  2. Текущие основные технические трудности
    1. Проблемы высокоточной регулировкиПри обработке ультратонких кристаллов (<50 мкм) легко возникает деформация под действием напряжений, а колебания искривления часто превышают пороговые значения. Твердые и хрупкие материалы обладают высокой твердостью и хрупкостью, поэтому при шлифовке часто появляются микротрещины и сколы краев. Сложно одновременно уравновесить эффективность обработки и качество поверхности.
    2. Узкие места в стабильности и надежности оборудованияПри длительной работе шлифовальных кругов часто происходит искажение их профиля. Недостаточная точность алгоритмов реального времени компенсации влияет на консистентность обработки. Традиционные методы вакуумного или механического крепления часто приводят к деформации и повреждению ультратонких кристаллов, ограничивая повышение точности обработки. Экологические факторы, такие как колебания температуры и вибрации, значительно мешают точности координации двух осей. Технология стабильной обработки в экстремальных условиях ожидает прорыва.
  3. Основные пути прорыва
    1. Инновации в технологии высокоточной регулировкиПрименить систему замкнутой обратной связи с серводвигателем и штангенциркулем, чтобы достичь точности синхронизации скорости вращения и давления двух осей ±0,1%. Совместить с адаптивными алгоритмами для стабильного контроля плоскостности в пределах 2 мкм. Интегрировать модуль измерения толщины лазерной интерферометрией, динамически корректировать объем шлифования с помощью алгоритмов ПИД, чтобы уменьшить отклонение TTV до ≤1 мкм.Разработать трехстадийный процесс «грубая шлифовка – тонкая шлифовка – полировка» для твердых и хрупких материалов. Сочетать с сверхтонкими алмазными шлифовальными кругами и эластичными шлифовальными подушками, чтобы снизить процент брака.
    2. Улучшение конструкции и функций оборудованияУстановить систему онлайн-контроля профиля поверхности для реального времени мониторинга износа шлифовальных кругов, автоматической правки кругов и регулировки их угла, чтобы обеспечить долгосрочную стабильность. Применить технологию воздушно-подъемного крепления или электростатического адсорбции для равномерного распределения силы крепления и предотвращения повреждения ультратонких кристаллов. Встроенная система постоянной температуры и влажности и платформа для демпфирования вибраций контролируют колебания температуры в пределах ±0,5℃ и амплитуду вибрации в пределах 2 мкм, снижая экологические помехи.
    3. Прорывы в основных компонентах и алгоритмахПродвигать локализацию основных компонентов, таких как блоки воздушно-подъемных шпинделей и точные шариковые винты, чтобы укрепить основы механической точности. Внедрить алгоритмы машинного обучения для оптимизации комбинации технологических параметров на основе массивных данных. Реализовать адаптивную обработку кристаллов разных спецификаций и материалов, повышая консистентность точности.
Технологический прорыв двухосных станков для тонкого шлифования кристаллов должен иметь высокоточную регулировку в качестве ядра, улучшение конструкции оборудования в качестве поддержки и инновации основных компонентов и алгоритмов в качестве движущей силы. Требуется многостороннее сотрудничество для решения проблем точности, стабильности и совместимости с материалами, обеспечивая ключевое оборудование для развития полупроводниковой промышленности в направлении уменьшения толщины, массы и повышения плотности.
发.jpg
Свяжитесь с нами
Контактное лицо: Grace
Телефон: 86 13622378685
Электронная почта: Grace@lapping-machine.com
Адрес:Здание 34, зона В, промышленная зона Юаншань, дорога Сяньчень, район Гуаньмин, Шэньчжэнь, Китай

Сканирование микроканалов

Шэньчжэнь Tengyu Grinding Technology Co., Ltd.