I wafer ultrasottili in silicio e i substrati in carburo di silicio utilizzati nella produzione di semiconduttori presentano parametri geometrici superficiali estremamente rigorosi. Le apparecchiature di lavorazione a singola faccia generano facilmente deformazioni da tensione sui wafer e non riescono a controllare stabilmente la planarità complessiva. Di conseguenza, la
Macchina di Levigatura a Doppia Faccia è diventata l’attrezzatura chiave per la pre-lavorazione dei substrati di semiconduttori di terza generazione.
L’apparecchiatura adotta dischi di levigatura in ghisa superiori e inferiori accoppiati con una struttura di trasmissione planetaria di precisione. I pezzi sono alloggiati nel supporto, mentre il liquido di levigatura circola continuamente per rimuovere i detriti di lavorazione e controllare l’incremento termico. L’intero sistema è dotato di un’unità di regolazione a ciclo chiuso di pressione e velocità, che sincronizza il carico di levigatura dei dischi, equilibra la velocità di rimozione del materiale su entrambi i lati del substrato e previene imbarcamenti e deviazioni di spessore eccessive dovute alla levigatura unilaterale.
Dal punto di vista tecnologico, la Macchina di Levigatura a Doppia Faccia esegue la levigatura precisa simultanea di entrambe le facce del substrato in un solo passaggio. Grazie ai dischi ad alta planarità, vincola la forma del pezzo e mantiene la variazione totale di spessore (TTV) del substrato nell’intervallo micronico. Dotata di un modulo di monitoraggio dello spessore in linea, acquisisce dati dimensionali dei wafer in tempo reale e regola automaticamente i parametri di levigatura per garantire la coerenza della lavorazione in lotti.
Nella produzione di massa di wafer ultrasottili in silicio e carburo di silicio, il processo stabile di levigatura a doppia faccia elimina preventivamente lo strato di danno superficiale causato dal taglio, fornendo una base piana e conforme per le successive fasi di lucidatura e deposizione di film sottili. Rispetto alla levigatura unilaterale graduale, riduce gli errori di posizionamento derivanti da ripetuti fissaggi, abbrevia i tempi di lavorazione e rappresenta un’attrezzatura di precisione indispensabile per garantire la qualità base della lavorazione dei substrati di semiconduttori a banda larga proibita.
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