Сверхтонкие кремниевые пластины и подложки из карбида кремния, используемые в полупроводниковом производстве, имеют строгие нормы геометрических параметров поверхности. Одностороннее обрабатывающее оборудование часто вызывает деформацию пластин из-за напряжений и не обеспечивает стабильный контроль общей плоскостности. По этой причине
двусторонняя шлифовальная машина стала ключевым оборудованием для предварительной обработки подложек полупроводников третьего поколения.
Оборудование оснащено парными верхними и нижними чугунными шлифовальными дисками и прецизионной планетарной передачей. Заготовки размещаются в носителе, а шлифовальная жидкость непрерывно циркулирует, удаляя продукты шлифования и стабилизируя температурный режим обработки. Вся система оснащена замкнутым блоком регулирования давления и скорости вращения, который синхронно корректирует нагрузку на верхние и нижние диски, выравнивает скорость снятия материала с обеих сторон подложки и предотвращает коробление и превышение допустимых отклонений толщины при одностороннем перешлифовывании.
С технологической точки зрения двусторонняя шлифовальная машина выполняет одновременную прецизионную шлифовку лицевой и обратной стороны подложек за один цикл. Благодаря высокоплоскостным шлифовальным дискам обеспечивается стабильная форма заготовок, а отклонение общей толщины (TTV) подложек контролируется в микронном диапазоне. Встроенный модуль онлайн-контроля толщины позволяет собирать размерные данные пластин в реальном времени и автоматически корректировать параметры шлифования для сохранения стабильности обработки партий.
В серийном производстве сверхтонких пластин из кремния и карбида кремния стабильная двусторонняя шлифовка заранее устраняет поврежденный слой поверхности, возникающий при резке пластин, создавая качественную плоскую основу для последующей полировки и осаждения тонких пленок. По сравнению с поэтапной односторонней шлифовкой данное оборудование снижает погрешности позиционирования при многократном закреплении заготовок и сокращает производственный цикл. Оно является незаменимым прецизионным оборудованием для обеспечения базового качества обработки подложек широкозонных полупроводников.