반도체 제조에 사용되는 초박형 실리콘 웨이퍼와 탄화규소 기판은 표면 기하학 파라미터에 매우 엄격한 기준을 적용합니다. 단면 가공 장비는 웨이퍼의 응력 변형을 유발하기 쉬워 전체 평면도를 안정적으로 제어할 수 없으며, 이로 인해
양면 연마기가 3세대 반도체 기판 전처리 공정의 핵심 가공 장비로 자리 잡았습니다.
본 장비는 상하 한 쌍의 주철 연마 디스크와 정밀 유성 전동 구조를 채택하며, 가공물은 캐리어 내부에 배치됩니다. 연마액이 지속적으로 순환 공급되어 연마 찌꺼기를 제거하고 가공 시 온도 상승을 제어합니다. 전체 시스템은 폐루프 압력 및 회전 속도 조절 장치를 탑재해 상하 디스크의 연마 하중을 동시 조절하고, 기판 양쪽의 재료 제거 속도를 균일화하여 단면 과도 연마로 인한 휨 현상과 두께 편차 초과 문제를 방지합니다.
공정 측면에서 양면 연마기는 기판 전후면을 한 번에 동시 정밀 연마할 수 있으며, 고평면도 연마 디스크로 가공물 형상을 구속해 기판의 총 두께 편차(TTV)를 마이크로 단위로 제어합니다. 장비는 실시간 두께 모니터링 모듈을 탑재해 웨이퍼 치수 데이터를 실시간 수집하고 연마 파라미터를 자동 미세 조정하여 배치 가공의 일관성을 유지합니다.
탄화규소 및 실리콘 기반 초박형 웨이퍼 양산 공정에서 안정적인 양면 연마 공정은 슬라이싱으로 발생한 표면 손상층을 사전 제거하여 후속 연마 및 박막 증착 공정에 적합한 평탄한 기층을 제공합니다. 기존 분할 단면 연마 공정에 비해 가공물 반복 고정으로 발생하는 위치 오차를 효과적으로 줄이고 가공 공정을 단축하며, 광대역 갭 반도체 기판의 기본 가공 품질을 보장하는 필수 정밀 장비입니다.
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