실리콘, 탄화규소, 비소화갈륨 웨이퍼는 칩 제조의 기본 기판 소재입니다. 슬라이싱 공정 완료 후 웨이퍼 표면에는 가공 흔적, 요철 여유량 및 내부 기계 응력이 잔류합니다. 일반 단면 연삭 장비는 응력 분포가 불균일하여 초박형 웨이퍼 가공 시 휨, 모서리 깨짐, 표면하 결함이 발생하기 쉬우며 두께 균일도가 패키징 공정 기준을 충족하기 어렵습니다.
웨이퍼 연삭기는 양면 균형 연삭 구조를 기반으로 기판 박막화 공정의 핵심 가공 장비로 활용됩니다.
본 장비는 일체형 주강 고강성 베이스와 고정밀 유성 전동 기구를 채택하여 작동 진동이 미미하고 장기 연속 가공 시 디스크 기준 편이가 발생하지 않습니다. 서보 정압 제어 시스템을 탑재하여 6~12인치 다양한 규격 및 경도의 웨이퍼에 맞춰 연삭 속도와 재료 제거 속도를 정밀 매칭합니다. 미세 절삭 모드를 적용하여 표층 결함을 점진적으로 층별 제거하며 격자 손상 위험을 최소화합니다.
연삭 과정에서 웨이퍼 상하 양면이 동시 연삭되어 양방향 압력이 상쇄되므로 박판 기판의 변형 문제를 효과적으로 방지하고, 가공 후 전체 웨이퍼의 평행도와 두께 공차가 안정적으로 제어됩니다. 전용 연삭액 순환 여과 장치가 탑재되어 경질 입자로 인한 표면 스크래치를 차단하며, 조연삭 및 정밀 연삭 단계 공정 전환을 지원하여 여유량 제거와 고정밀 평탄화 요구를 동시에 충족합니다.
일반 연삭 장비에 비해 웨이퍼 연삭기는 제품 일관성이 우수하고 동일 배치 웨이퍼의 치수 편차가 적어 재가공이 필요 없으며, 후속 연마, 포토리소그래피, 본딩 공정의 수율을 크게 향상시킵니다. 반도체 기판, 전력 소자 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼 등 다양한 제품 가공에 적합하며 실험실 시제품 제작과 자동화 양산 라인에 모두 연계 가능합니다.
저손상, 고정밀, 높은 범용성의 핵심 장점을 바탕으로
웨이퍼 연삭기는 초박형 반도체 기판 가공 시 발생하는 변형 및 정밀도 부족의 산업 난제를 해결하여 마이크로전자 및 신에너지 전력 반도체 산업의 대규모 정밀 생산을 안정적으로 지원합니다.
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